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公开(公告)号：CN103260337B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210443066.9
申请日：2012-11-08
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
CPC classification number: H05K3/4638 , H05K3/4629 , H05K2201/09063
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基板及其制造方法，涉及一种由陶瓷构成的基板主体的正面及反面上分别形成的导体层之间的位置偏差较少的陶瓷基板、及可切实制造该基板的方法。陶瓷基板(1a)具有：基板主体(2)；第1导体层(5)；第2导体层(6)；导体柱(7、8)；以及多个定位部(10a)，根据本发明，可切实提供一种具有高位置精度下的导体层的陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN113412686B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080013476.2
申请日：2020-05-22
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Abstract: 多层布线基板具有：第1布线基板，其由热固性树脂所形成的多个层层叠而成，在各层之间具有以与层接触的状态形成的布线层；第2布线基板，其由陶瓷构成；以及接合层，其配置于第1布线基板的背面和第2布线基板的表面之间，接合第1布线基板和第2布线基板，接合层中的至少与第2布线基板相邻的面由热塑性树脂形成。
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公开(公告)号：CN105489541B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510634731.6
申请日：2015-09-29
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H01L21/683 , G03F7/20 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供能够抑制发热体的厚度、宽度的偏差，并抑制设有发热体的主体基板的温度偏差的半导体制造装置用部件及其制造方法。静电卡盘(半导体制造装置用部件)的制造方法具有以下工序：涂敷工序，在该涂敷工序中，在要成为主体基板的陶瓷坯片(110e)之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏(410)；曝光显影工序，在该曝光显影工序中，对涂敷在陶瓷坯片(110e)之上的感光性金属膏(410)进行曝光和显影，在陶瓷坯片(110e)之上形成要成为发热体的中间发热体(410a)；以及烧制工序，在该烧制工序中，同时对陶瓷坯片(110e)和中间发热体(410a)进行烧制，形成主体基板和发热体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114126213A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110920243.7
申请日：2021-08-11
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Inventor： 奈须孝有
Abstract: 本发明提供抑制半导体器件的大型化的布线基板。该布线基板具有基体和焊盘，其中，基体具有：空腔，其具有底面和空腔侧面；以及电极配置面，其为形成有空腔的开口的面，在该电极配置面配置焊盘，焊盘具有：第1主面；第2主面，其为第1主面的背面；以及多个侧面，其连接第1主面和第2主面，焊盘自身的至少一部分埋入于基体，第1主面在基体的电极配置面侧暴露，多个侧面中的第1侧面向空腔内突出，或者，第1侧面与基体的空腔侧面对齐，在基体的空腔侧面，基体在焊盘的第2主面与空腔的底面的外周之间暴露。
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公开(公告)号：CN113412686A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013476.2
申请日：2020-05-22
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Abstract: 多层布线基板具有：第1布线基板，其由热固性树脂所形成的多个层层叠而成，在各层之间具有以与层接触的状态形成的布线层；第2布线基板，其由陶瓷构成；以及接合层，其配置于第1布线基板的背面和第2布线基板的表面之间，接合第1布线基板和第2布线基板，接合层中的至少与第2布线基板相邻的面由热塑性树脂形成。
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公开(公告)号：CN114126213B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110920243.7
申请日：2021-08-11
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Inventor： 奈须孝有
Abstract: 本发明提供抑制半导体器件的大型化的布线基板。该布线基板具有基体和焊盘，其中，基体具有：空腔，其具有底面和空腔侧面；以及电极配置面，其为形成有空腔的开口的面，在该电极配置面配置焊盘，焊盘具有：第1主面；第2主面，其为第1主面的背面；以及多个侧面，其连接第1主面和第2主面，焊盘自身的至少一部分埋入于基体，第1主面在基体的电极配置面侧暴露，多个侧面中的第1侧面向空腔内突出，或者，第1侧面与基体的空腔侧面对齐，在基体的空腔侧面，基体在焊盘的第2主面与空腔的底面的外周之间暴露。
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公开(公告)号：CN105489541A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510634731.6
申请日：2015-09-29
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H01L21/683 , G03F7/20 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , B32B18/00 , B32B2457/14 , C04B37/021 , C04B37/028 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/62 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/706 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/68757 , H01L21/6833 , G03F7/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供能够抑制发热体的厚度、宽度的偏差，并抑制设有发热体的主体基板的温度偏差的半导体制造装置用部件及其制造方法。静电卡盘(半导体制造装置用部件)的制造方法具有以下工序：涂敷工序，在该涂敷工序中，在要成为主体基板的陶瓷坯片(110e)之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏(410)；曝光显影工序，在该曝光显影工序中，对涂敷在陶瓷坯片(110e)之上的感光性金属膏(410)进行曝光和显影，在陶瓷坯片(110e)之上形成要成为发热体的中间发热体(410a)；以及烧制工序，在该烧制工序中，同时对陶瓷坯片(110e)和中间发热体(410a)进行烧制，形成主体基板和发热体。
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公开(公告)号：CN103260337A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210443066.9
申请日：2012-11-08
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
CPC classification number: H05K3/4638 , H05K3/4629 , H05K2201/09063
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基板及其制造方法，涉及一种由陶瓷构成的基板主体的正面及反面上分别形成的导体层之间的位置偏差较少的陶瓷基板、及可切实制造该基板的方法。陶瓷基板(1a)具有：基板主体(2)；第1导体层(5)；第2导体层(6)；导体柱(7、8)；以及多个定位部(10a)，根据本发明，可切实提供一种具有高位置精度下的导体层的陶瓷基板。
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