公开(公告)号：CN1317652A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN00105631.X

申请日：2000-04-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 丹羽伦规

IPC: F16C33/32

Abstract: 一种能够防止例如硬盘驱动器的不规则振动并且精度高的陶瓷轴承滚珠。此陶瓷滚珠的特征在于，球度不超过0.08微米，表面粗糙度不超过0.012微米，且最大表面孔隙尺寸约5微米。

公开(公告)号：CN1179138C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN00105631.X

申请日：2000-04-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 丹羽伦规

IPC: F16C33/32

Abstract: 一种能够防止例如硬盘驱动器的不规则振动并且精度高的陶瓷轴承滚珠。此陶瓷滚珠的特征在于，球度不超过0.08微米，表面粗糙度不超过0.012微米，且最大表面孔隙尺寸约5微米。

公开(公告)号：CN105489541A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510634731.6

申请日：2015-09-29

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 奈须孝有 ,  丹羽伦规 ,  岐部太一

IPC: H01L21/683 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  B32B18/00 ,  B32B2457/14 ,  C04B37/021 ,  C04B37/028 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/64 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/706 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/6833 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供能够抑制发热体的厚度、宽度的偏差，并抑制设有发热体的主体基板的温度偏差的半导体制造装置用部件及其制造方法。静电卡盘(半导体制造装置用部件)的制造方法具有以下工序：涂敷工序，在该涂敷工序中，在要成为主体基板的陶瓷坯片(110e)之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏(410)；曝光显影工序，在该曝光显影工序中，对涂敷在陶瓷坯片(110e)之上的感光性金属膏(410)进行曝光和显影，在陶瓷坯片(110e)之上形成要成为发热体的中间发热体(410a)；以及烧制工序，在该烧制工序中，同时对陶瓷坯片(110e)和中间发热体(410a)进行烧制，形成主体基板和发热体。

公开(公告)号：CN105489541B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201510634731.6

申请日：2015-09-29

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 奈须孝有 ,  丹羽伦规 ,  岐部太一

IPC: H01L21/683 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供能够抑制发热体的厚度、宽度的偏差，并抑制设有发热体的主体基板的温度偏差的半导体制造装置用部件及其制造方法。静电卡盘(半导体制造装置用部件)的制造方法具有以下工序：涂敷工序，在该涂敷工序中，在要成为主体基板的陶瓷坯片(110e)之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏(410)；曝光显影工序，在该曝光显影工序中，对涂敷在陶瓷坯片(110e)之上的感光性金属膏(410)进行曝光和显影，在陶瓷坯片(110e)之上形成要成为发热体的中间发热体(410a)；以及烧制工序，在该烧制工序中，同时对陶瓷坯片(110e)和中间发热体(410a)进行烧制，形成主体基板和发热体。