公开(公告)号：CN114692535A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210401979.8

申请日：2022-04-18

Applicant: 扬州大学

Inventor： 孟洋 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  薛玉雄 ,  梅博 ,  张洪伟 ,  刘洋 ,  郑澍 ,  李红霞 ,  韩丹 ,  曾祥华 ,  李兴冀 ,  杨剑群

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/337 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。

公开(公告)号：CN114781308B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202210422028.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 黄鑫 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  梅博 ,  薛玉雄 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  孟洋 ,  李林欢 ,  汪柯佳 ,  刘洋 ,  曾祥华

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。

公开(公告)号：CN114781308A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210422028.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 黄鑫 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  梅博 ,  薛玉雄 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  孟洋 ,  李林欢 ,  汪柯佳 ,  刘洋 ,  曾祥华

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。