公开(公告)号：CN104241282A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410273212.7

申请日：2014-06-18

申请人： 德州仪器公司

发明人： 桑迪普·R·巴尔 ,  马修·塞内斯凯 ,  纳韦恩·蒂皮尔内尼 ,  戴维·I·安德森 ,  萨米尔·彭德哈卡

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/538 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H03K17/687

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/48465

摘要： 本申请案涉及一种双向氮化镓开关及其形成方法。一种半导体装置(400)包含形成于非绝缘衬底(402)上的双向GaN FET(406)。所述半导体装置进一步包含连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第一源极/漏极节点(416)之间的第一电箝位部(420)及连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第二源极/漏极节点(418)之间的第二电箝位部(422)。所述第一箝位部及所述第二箝位部经配置以在相关箝位部的偏移电压内将所述衬底偏置于到所述第一源极/漏极节点的所施加偏置及到所述第二源极/漏极节点的所施加偏置中的较低电压电平下。