公开(公告)号：CN110870048B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的

公开(公告)号：CN110870048A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。