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公开(公告)号：CN1176457C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN99816687.1
申请日：1999-05-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/72 , G11B5/74 , G11B5/8408 , Y10T428/24479 , Y10T428/24521 , Y10T428/24537 , Y10T428/2457
Abstract: 一种磁盘媒体的表面被平滑，该磁盘媒体表面由一个表面含有沟槽和平地的衬底组成。非磁性垫层(3)和磁记录层(4)制备在包括沟槽(8)和平地(9)的衬底(2)上。平滑非磁性膜(5)被沉积用来填充被非磁性垫层(3)和磁记录层(4)所覆盖的沟槽(8)，使得平滑非磁性膜(5)可以到达与平地(9)上的磁记录层(4)高度相同的水平上。
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公开(公告)号：CN100373457C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN1689079A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02829763.6
申请日：2002-10-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/012 , G11B5/656 , G11B2005/0029 , Y10T428/24975
Abstract: 在衬底(31)的表面上方延伸的软磁底层(38)上形成辅助磁性层(37)。在辅助磁性层(37)上形成磁记录层(36)。辅助磁性层(37)在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上具有易磁化轴。在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上磁记录层(36)中的磁化得到加强。辅助磁性层(37)起到放大沿垂直方向从磁记录层泄漏出的磁场的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100385508C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN02829763.6
申请日：2002-10-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/012 , G11B5/656 , G11B2005/0029 , Y10T428/24975
Abstract: 在衬底(31)的表面上方延伸的软磁底层(38)上形成辅助磁性层(37)。在辅助磁性层(37)上形成磁记录层(36)。辅助磁性层(37)在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上具有易磁化轴。在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上磁记录层(36)中的磁化得到加强。辅助磁性层(37)起到放大沿垂直方向从磁记录层泄漏出的磁场的作用。
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公开(公告)号：CN101042872A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610151470.3
申请日：2006-09-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , G11B5/3169 , Y10T29/49037
Abstract: 本发明提供了磁头制作方法和磁头。该磁头制作方法能够高精度地制作磁头。该磁头制作方法包括以下步骤：将磁层的一磁极端部形成为规定形状，该磁极端部成为磁极并形成在其上将形成磁头的工件的表面上；利用阻止层至少涂覆磁层的顶部；利用绝缘层涂覆其上已经形成有阻止层的工件的表面，该绝缘层的抛光率高于阻止层的抛光率；对工件的表面进行抛光，直到涂覆磁层的顶部的阻止层从绝缘层露出为止；以及去除在磁层的表面中已经露出的阻止层。
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公开(公告)号：CN101556804A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910002093.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质和磁记录再生设备。所述磁记录介质包含盘状基板和多个形成在所述基板上的记录位，其中所述记录位的底面被设置成面向所述基板，所述记录位的顶面被设置成与所述记录位的底面相对，并且Twb大于Twt，其中Twb代表所述底面在所述磁记录介质的径向上的宽度，Twt代表所述顶面在所述径向上的宽度。
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公开(公告)号：CN1689078A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN1352792A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816687.1
申请日：1999-05-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/72 , G11B5/74 , G11B5/8408 , Y10T428/24479 , Y10T428/24521 , Y10T428/24537 , Y10T428/2457
Abstract: 一种磁盘媒体的表面被平滑,该磁盘媒体表面由一个表面含有沟槽和平地的衬底组成。非磁性垫层(3)和磁记录层(4)制备在包括沟槽(8)和平地(9)的衬底(2)上。平滑非磁性膜(5)被沉积用来填充被非磁性垫层(3)和磁记录层(4)所覆盖的沟槽(8),使得平滑非磁性膜(5)可以到达与平地(9)上的磁记录层(4)高度相同的水平上。
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