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公开(公告)号：CN101471076A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810149798.0
申请日：2008-09-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/11 , G11B5/3143 , G11B5/3912 , G11B5/40
Abstract: 本发明提供头滑块和磁存储装置。下遮蔽层和上遮蔽层之间设有磁阻元件。磁阻元件经由下遮蔽层和上遮蔽层件接收电流。在滑块体和下遮蔽层之间的绝缘膜中嵌入有非导磁层。在头滑块和存储介质之间形成有气层。在头滑块和存储介质之间建立了电容耦合。电容耦合允许噪声从存储介质传递到头滑块。噪声影响在下遮蔽层和头滑块之间建立的电容。非导磁层用于防止噪声传递导致的下遮蔽层和上遮蔽层之间的电势差变化。
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公开(公告)号：CN100431007C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200510084187.9
申请日：2005-07-14
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 桥本淳一
CPC classification number: G11B5/3932
Abstract: 磁阻头。在该磁阻头中，对磁域控制层的磁性方向加以稳定，以固定作用在磁阻膜的自由层上的偏置磁场，从而抑制了诸如巴克豪森噪声之类的噪声的产生并且能够使磁阻头稳定工作。CPP型磁阻头包括：磁阻元件；下电极层和上电极层，设置成在厚度方向上夹住磁阻元件；磁域控制层，借助绝缘膜设置在磁阻元件的两侧，并且施加用于控制在磁阻元件中提供的自由层的磁域的偏置磁场；和反铁磁层，叠置在所述磁域控制层上，并且固定所述磁域控制层的偏置磁场。
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公开(公告)号：CN1835085A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510084187.9
申请日：2005-07-14
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 桥本淳一
CPC classification number: G11B5/3932
Abstract: 磁阻头。在该磁阻头中，对磁域控制层的磁性方向加以稳定，以固定作用在磁阻膜的自由层上的偏置磁场，从而抑制了诸如巴克豪森噪声之类的噪声的产生并且能够使磁阻头稳定工作。CPP型磁阻头包括：磁阻元件；下电极层和上电极层，设置成在厚度方向上夹住磁阻元件；磁域控制层，借助绝缘膜设置在磁阻元件的两侧，并且施加用于控制在磁阻元件中提供的自由层的磁域的偏置磁场；和反铁磁层，叠置在所述磁域控制层上，并且固定所述磁域控制层的偏置磁场。
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公开(公告)号：CN1352790A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816725.8
申请日：1999-07-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3113 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于再现以高记录密度记录在记录介质上的信息并能抑制巴克豪森噪声产生的磁阻效应型磁头。这种磁阻效应型磁头具有一能呈现随外部磁场强度而定的电阻变化的磁阻效应元件,用于检测该磁阻效应元件的电阻幅度从而检测磁场强度。所述磁阻效应元件由一平的多层薄膜组成,其中一根据外部磁场而改变磁化方向的自由磁性层被设置在最底层。这种磁阻效应型磁头包括:一非磁性基底;一与所述自由磁性层基底一侧上的下表面中央部分相接触的绝缘层;用于引导电流通过所述磁阻效应元件的一对电极层,该对电极层被形成在将所述绝缘层插入其间且与所述自由磁性层基底一侧上的下表面的两个边缘部分接触的位置上,并且被形成为与所述绝缘层具有相同的表面高度;以及用于抑制所述自由磁性层的磁畴壁移动的一对磁畴壁控制层,该对磁畴壁控制层被形成为将所述磁阻效应元件插入其间而伸展。
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公开(公告)号：CN101221769A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710192703.9
申请日：2007-11-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C25D5/10 , G11B5/112 , G11B5/3106 , G11B5/3967 , G11B5/40 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明提供一种磁头及其制造方法。在该磁头中，读取头的下屏蔽层和上屏蔽层以及写入头的下磁极电连接到基板，以便防止静电对MR元件造成损坏，并且不会不利地影响读取头的读取特性。该磁头包括：读取头，该读取头具有下屏蔽层和上屏蔽层，它们通过分流电阻电连接到基板；和写入头，该写入头具有下磁极，该下磁极通过所述分流电阻电连接到所述基板，其中所述下屏蔽层和所述上屏蔽层通过一导电层电连接到所述基板，并且所述下磁极通过一导电层电连接到所述基板，该导电层形成为该下磁极的基层。
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公开(公告)号：CN1129116C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN99816725.8
申请日：1999-07-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3113 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于再现以高记录密度记录在记录介质上的信息并能抑制巴克豪森噪声产生的磁阻效应型磁头。这种磁阻效应型磁头具有一能呈现随外部磁场强度而定的电阻变化的磁阻效应元件，用于检测该磁阻效应元件的电阻幅度从而检测磁场强度。所述磁阻效应元件由一平的多层薄膜组成，其中一根据外部磁场而改变磁化方向的自由磁性层被设置在最底层。这种磁阻效应型磁头包括：一非磁性基底；一与所述自由磁性层基底一侧上的下表面中央部分相接触的绝缘层；用于引导电流通过所述磁阻效应元件的一对电极层，该对电极层被形成在将所述绝缘层插入其间且与所述自由磁性层基底一侧上的下表面的两个边缘部分接触的位置上，并且被形成为与所述绝缘层具有相同的表面高度；以及用于抑制所述自由磁性层的磁畴壁移动的一对磁畴壁控制层，该对磁畴壁控制层被形成为将所述磁阻效应元件插入其间而伸展。
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