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公开(公告)号:CN119595732A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202510160172.3
申请日:2025-02-13
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N27/406 , A61B5/08 , A61B5/145 , A61B5/1468
Abstract: 本发明公开一种基于氢键有机框架的自供电柔性湿度传感器及制备方法与应用,包括对称电极、位于对称电极一侧的HOF/CNF电解质膜和位于对称电极另一侧的HOF/CNF/NaCl电解质膜,所述HOF/CNF电解质膜与HOF/CNF/NaCl电解质膜相接触;所述对称电极为Ti3C2Tx‑MXene电极,HOF为以1,2,4,5‑四(4‑羧基苯基)苯为前驱体合成的氢键有机框架材料。本发明的自供电柔性湿度传感器,通过调控盐离子浓度实现了渗透能向电能的转换,展现出良好的灵活性、低迟滞特性,具有0.17μA/%RH的高灵敏度,1.06 s的快速响应时间以及200多次循环的稳定性。
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公开(公告)号:CN119573926A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202510135674.0
申请日:2025-02-07
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种基于渗透能直接驱动的柔性全固态二维纳米流体压力传感器及其应用,属于柔性可穿戴压力传感器件以及人工智能交互技术领域。该压力传感器通过GO膜层和KGO膜层,结合MXene电荷收集层、CNF隔离层及导电石墨纸封装而成。本发明利用渗透能驱动离子在纳米通道内离子选择性迁移,经层间距调制转换外部压力为电信号。本发明的独特结构设计提升了灵敏度、响应速度等。本发明还基于该传感器卓越性能及可穿戴特质,结合深度学习算法,以单个传感器实现实时人机交互,手势识别准确率高达95.78%。
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公开(公告)号:CN119230975A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202411429775.0
申请日:2024-10-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于储能技术领域,具体涉及微型电池技术,尤其涉及一种柔性钾离子微型电池及其制备方法。本发明所提供的一种柔性钾离子微型电池,主要由KFeMnHCF(铁取代富锰普鲁士蓝)正极、PTCDI/MXene负极和KCF3SO3‑PAM(三氟甲烷磺酸钾‑聚丙烯酰胺)水凝胶电解质构成。本发明的技术方案比传统的锂离子微型电池有着更好的电化学性能,在5.0mA cm‑2下经过2500次GCD循环后89.17%的超高循环寿命。以及较高的能量密度(202.81μWh cm‑2)和功率密度(7.99 mW cm‑2)。本发明的柔性钾离子微型电池因其高安全、小型化、低成本的特点,使得其更便于应用在可穿戴设备和集成电子产品中,在储能设备中的应用前景广阔。
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公开(公告)号:CN119153571A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411644823.8
申请日:2024-11-18
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法,属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg2I3多晶薄膜做光吸收层,在光吸收层两侧分别制备空穴传输层和电子传输层构成pin结。本发明采用了非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜作为主要光吸收层,具有本征紫外吸收和良好的稳定性;宽禁带的空穴传输层和电子传输层与CsAg2I3多晶薄膜能带匹配形成pin结,pin结形成的内建电场可以在无偏压条件下使光生载流子分离,因此该器件可以工作在自驱动模式。本发明对非铅基钙钛矿紫外光电探测器的进一步发展具有促进作用。
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公开(公告)号:CN118402795A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410488127.6
申请日:2024-04-23
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种多层二维复合电极、其制备方法、封装方法与应用。多层二维复合电极是Si/Ag/硼烯/铋烯/MXene/TiO2/P2O3/黑磷结构。多层二维复合电极的制备方法包括以下步骤:1)制作Si/Ag基底;2)制作Si/Ag/硼烯/铋烯电极;3)制作Si/Ag/硼烯/铋烯/MXene/TiO2电极;4)制作Si/Ag/硼烯/铋烯/MXene/TiO2/P2O3/黑磷电极;该多层二维复合电极在使用200~300mW的400~430nm蓝紫激光提供光源的情况下,在0.3V(相对饱和甘汞电极)偏压下平均瞬态电流密度为129μA·cm‑2。本发明的复合检测芯片的2.5D叠层封装方法减小了芯片整体体积的同时降低了芯片的功耗。芯片由传感器模块、光器件模块、微处理器模块、电源管理模块、无线收发模块构成,同时为能够进行肌电感知的可穿戴智能监测提供了新的方式,并有望在智能机器人中应用。
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公开(公告)号:CN118150664A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410264041.5
申请日:2024-03-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N27/333 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/35 , G01N27/48
Abstract: 本发明公开一种“石墨烯‑ZIF‑8”复合结构、制备方法、2.5D chiplet封装方法及应用。“石墨烯‑ZIF‑8”为堆叠的交叉包覆结构,其中,多面体的ZIF‑8颗粒被其上层的石墨烯所包覆,组成了更大比表面积的三维多孔复合结构。基于“石墨烯‑ZIF‑8”复合结构的NH4+选择电极,具有NH4+选择膜/“石墨烯‑ZIF‑8”复合结构/Zn/Ag/Si结构。此选择电极用于检测NH4+时,线性检测范围为1.0×10‑8~1.0×10‑4M,具有3.0nM的最低检测限,灵敏度为9.3×10‑3μA·μM‑1。并且本发明公开一种NH4+浓度的检测方法、检测装置及在运动中检测汗液信息的便携式健康管理芯片。健康管理芯片采用2.5D的chiplet封装形式,用于汗液中NH4+浓度的实时分析,在智能可穿戴设备中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN117457883A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311652068.3
申请日:2023-12-05
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种二维层状范德华异质结Bi2Te3/MnBi2Te4,其为二维层状结构,在Bi2Te3和MnBi2Te4两相之间具有强的界面相互作用,且异质结Bi2Te3/MnBi2Te4在导带与价带之间具有窄的带隙,其原子结构由七层的MnBi2Te4和五层的Bi2Te3组成。本发明的二维层状Bi2Te3/MnBi2Te4异质结在Bi2Te3和MnBi2Te4两相之间具有强的界面相互作用,存在界面内电场,有利于电子的快速转移,并且Bi2Te3/MnBi2Te4异质结在导带与价带之间具有更窄的带隙,有利于载流子对导带的激发,促进了电子的快速传导,从而降低锌离子的插层势垒,实现了快速离子扩散。
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公开(公告)号:CN116390605A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310278087.8
申请日:2023-03-21
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种酞菁铜/倒金字塔形钙钛矿异质结光电探测器及制备方法,包括步骤:1)刻蚀出具有金字塔形表面微结构的硅片,作为生长钙钛矿单晶的基底;2)制备钙钛矿溶液,利用硅片和玻璃片作为限制生长区域的框架,利用种子生长法、空间限域法和逆温结晶法相结合的生长方法制备表面金字塔形的钙钛矿单晶;3)利用热蒸发在钙钛矿单晶表面蒸镀酞菁铜薄膜形成异质结,然后利用导电碳浆作为上下电极制备光电探测器。本发明制备的光电探测器在常温常压下稳定,同时在高湿度的环境下相对于对照组器件具有较好的光电响应,同时器件具有良好的长时间湿度稳定性,对未来海上,舰船,海岛等高湿度环境下的高性能光电探测领域具有指导意义。
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公开(公告)号:CN112516478B
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202011372840.2
申请日:2020-11-30
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及一种智能口罩,包括口罩本体,所述口罩本体的前端设有呼吸窗口,口罩本体两侧均设有挂耳,所述呼吸窗口内设有口罩滤芯,口罩滤芯自上而下依次由电极基体层、芯材层、隔膜层、芯材层和电极基体层组成;所述口罩本体上还设置智能控制装置。本发明还公开了一种智能口罩的智能控制方法。本发明中口罩滤芯的芯材采用石墨烯气凝胶作电极,该芯材具有多孔结构,其可对空气中的灰尘细小颗粒以及病菌进行过滤;本发明通过对口罩滤芯加电压后,口罩滤芯具备静电吸附作用,可对病菌产生吸附性,同时,本发明采用大孔隙滤芯,在长时间使用时,能够保证呼吸畅通,通过智能控制装置可实现充电电压与呼吸速度的匹配,具有很好的过滤性及吸附性。
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公开(公告)号:CN115295730A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210986661.0
申请日:2022-08-17
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种自驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器及制备方法,包括以下步骤:1)采用逆温结晶法获得α‑FAPbI3单晶种子,并利用逆温结晶法结合种子限域法将所得α‑FAPbI3单晶种子生长成α‑FAPbI3单晶薄片;2)利用逆温结晶法结合种子限域法通过液相外延工艺在所述的α‑FAPbI3单晶薄片上外延生长MAPbI3单晶薄片,形成环形的横向单晶异质结,横向单晶异质结上表面的两侧使用金属Ag作为顶部电极。本发明解决了垂直器件导致的入射光损失、界面上的大量缺陷问题,还能解决在液相外延生长时选取溶液的不同极性可能对上一阶段生长的钙钛矿造成大范围侵蚀和溶解的问题,且制备的光电探测器性能优越。
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