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公开(公告)号：CN119053000A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411332595.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域，公开了一种远程等离子体源腔体结构，在环形腔体的出气口处设置具有孔道和第一螺旋叶片的螺旋分离器以及副驱动线圈，利用副驱动线圈产生的磁场约束等离子体的运动范围，使等离子体从孔道穿过，输出气流中的污染颗粒物不受该磁场影响从而在螺旋流动过程中与第一螺旋叶片和出气口内壁摩擦降速并最终被吸附，有效减少从出气口输出的等离子体中包含的污染颗粒物的含量。
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公开(公告)号：CN117148709B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311441738.7
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B11/42
Abstract: 本申请涉及真空蝶阀技术领域，具体提供了一种真空蝶阀控制方法、系统、电子设备及存储介质，该方法包括以下步骤：获取腔室内的实际气压信息，腔室与真空蝶阀连接；基于预先建立的曲线算法模型根据实际气压信息获取对应的实际阀门位置信息，并基于曲线算法模型根据预设的目标气压信息获取对应的目标阀门位置信息；基于PID控制根据实际阀门位置信息和目标阀门位置信息对真空蝶阀的阀门位置进行调整，以使实际阀门位置信息与目标阀门位置信息相同；该方法能够根据腔室内的气压自适应调节真空蝶阀的阀门位置，从而有效地提高真空蝶阀的调节效率和调节精度。
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公开(公告)号：CN117053987B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN114871941B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210443467.8
申请日：2022-04-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于化学机械抛光技术领域，公开一种抛光头及抛光机，抛光头包括用于安装待抛光工件的安装盘、用于安装安装盘的环形安装板、用于安装环形安装板的底板、用于驱动所述底板向下移动的移动驱动件、用于驱动底板转动的第一转动驱动件及用于驱动安装盘向下变形的电缸，环形安装板的两端分别连接安装盘及底板，移动驱动件的输出端连接底板的上表面，第一转动驱动件的输出端连接底板或移动驱动件，安装盘、环形安装板及底板形成安装空间，电缸设置在安装空间内，电缸的输出端连接有移动板，移动板抵接安装盘上表面的中心区域。本申请的抛光头及抛光机能够使得安装盘在电缸的驱动作用下产生向下的变形，从而改善待抛光工件的平坦度，提高抛光质量。
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公开(公告)号：CN117053987A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116029087A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211348133.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及热场分析领域，具体为一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质。该源炉热场分布分析方法包括步骤：根据源炉中各个部件的结构参数建立二维轴对称简化模型；将二维轴对称简化模型导入COMSOL软件中，并根据各个部件的制作材料设定材料参数；设定各个部件的传热类型；设定温度条件；计算分析得到源炉的热场分布图像，本发明以模拟实验的方式替代实测，确保获得准确的实验结果同时大大减少实验过程的资源浪费和实验成本。
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公开(公告)号：CN115493744B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
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公开(公告)号：CN114571125B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210492279.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
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公开(公告)号：CN114544065B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210422504.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
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公开(公告)号：CN114571125A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210492279.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
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