-
公开(公告)号：CN104604052A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380039535.3
申请日：2013-06-03
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： J·米勒 , A·S·阿夫拉梅斯库
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 在至少一种实施方式中背脊激光器(1)具有带有活性区(20)的半导体层序列(2)。具有确定宽度(B)的波导(3)从半导体层序列(2)作为凸起形成。在波导(3)的背离活性区(20)的上侧(30)上施加接触金属化部(4)。通电层(5)与接触金属化部(4)直接接触。通过通电层(5)电气连接接触金属化部(4)。活性区(20)和/或波导(3)的通电宽度(C)小于波导(3)的宽度(B)。
-
公开(公告)号：CN104604052B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380039535.3
申请日：2013-06-03
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： J·米勒 , A·S·阿夫拉梅斯库
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 在至少一种实施方式中背脊激光器(1)具有带有活性区(20)的半导体层序列(2)。具有确定宽度(B)的波导(3)从半导体层序列(2)作为凸起形成。在波导(3)的背离活性区(20)的上侧(30)上施加接触金属化部(4)。通电层(5)与接触金属化部(4)直接接触。通过通电层(5)电气连接接触金属化部(4)。活性区(20)和/或波导(3)的通电宽度(C)小于波导(3)的宽度(B)。
-
公开(公告)号：CN105284021B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480014690.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种包括主体(2)的半导体激光器(1)。在主体(2)上提供具有更窄宽度的条带(3)。提供用于生成光辐射的有源区(4)。主体(2)的到条带(3)的各侧的表面(9，10)和条带(3)的侧表面(13，14)被利用电绝缘保护层(11)覆盖。在条带(3)的上侧上提供导电层(12)作为接触。半导体激光器的特征在于至少在被限定的区段中腔体(15)被提供在条带(3)的侧表面(13，14)和保护层(11)之间。
-
公开(公告)号：CN105284021A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480014690.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/3247 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1017 , H01S5/204 , H01S5/2045 , H01S5/222 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种包括主体(2)的半导体激光器(1)。在主体(2)上提供具有更窄宽度的条带(3)。提供用于生成光辐射的有源区(4)。主体(2)的到条带(3)的各侧的表面(9，10)和条带(3)的侧表面(13，14)被利用电绝缘保护层(11)覆盖。在条带(3)的上侧上提供导电层(12)作为接触。半导体激光器的特征在于至少在被限定的区段中腔体(15)被提供在条带(3)的侧表面(13，14)和保护层(11)之间。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.048 seconds)
