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公开(公告)号:CN117871027A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202410268913.5
申请日:2024-03-11
Applicant: 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所 , 大连理工大学
IPC: G01M9/06
Abstract: 本发明是一种柱状热流传感器及其阵列化制备方法,属于传感器微纳制造领域。首先采用阵列化夹持机构对同种柱状传感器进行夹持,通过激光定位方法,确保柱状传感器的通孔排向统一,且上下端面平齐。其次利用通孔填充技术对柱状传感器的传感器信号引出通孔进行金属浆料填充,并进行金属化高温烧结。再对柱状传感器端面进行一体化打磨抛光,保证端面平整性,并对柱状传感器的底端采用四线法引线完成柱状传感器整体封装。然后对传感器敏感图案实现图案化设计,最后在打磨光滑的传感器镀膜端面进行金属薄膜制备形成传感器敏感图案,并对柱状传感器进行老化处理,完成柱状传感器的阵列化制备。本发明方法简单高效,准确性好,适应范围广。
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公开(公告)号:CN116929904A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310569432.3
申请日:2023-05-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于高温测量技术领域,涉及一种宽温域多模式应变和弹性模量标定装置与方法。本发明不仅实现了在宽温域(室温~1700℃)多元气氛(大气、真空或惰性等气氛)环境下应变片可靠标定,且实现在宽温域多元气氛下对材料的弹性模量迁变情况的记录和测量,还实现了依据被测基底材料的特征择优选取等强度标定梁或四点弯曲梁标定方式,扩展了对不同基底材料测试的应用范围,为高温应变片的性能标定提供了有效的实验平台,为航空航天高温部件的应变检测提供数据支持。
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公开(公告)号:CN117871027B
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410268913.5
申请日:2024-03-11
Applicant: 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所 , 大连理工大学
IPC: G01M9/06
Abstract: 本发明是一种柱状热流传感器及其阵列化制备方法,属于传感器微纳制造领域。首先采用阵列化夹持机构对同种柱状传感器进行夹持,通过激光定位方法,确保柱状传感器的通孔排向统一,且上下端面平齐。其次利用通孔填充技术对柱状传感器的传感器信号引出通孔进行金属浆料填充,并进行金属化高温烧结。再对柱状传感器端面进行一体化打磨抛光,保证端面平整性,并对柱状传感器的底端采用四线法引线完成柱状传感器整体封装。然后对传感器敏感图案实现图案化设计,最后在打磨光滑的传感器镀膜端面进行金属薄膜制备形成传感器敏感图案,并对柱状传感器进行老化处理,完成柱状传感器的阵列化制备。本发明方法简单高效,准确性好,适应范围广。
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公开(公告)号:CN116147705A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202310220997.0
申请日:2023-03-09
Applicant: 大连理工大学 , 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于测试领域,提出一种高温温度和压力原位复合测量传感器、制备及使用方法,包括敏感元件、陶瓷基座和耐高温引线;敏感元件为设有高温电极的弹性膜片,其包括五个铂金属电极和四个氧化铟锡压敏电阻。四个阻值相等的氧化铟锡压敏电阻连成惠斯登电桥。该传感器集成亚微米厚度的铂薄膜热敏电阻和氧化铟锡压敏电阻,实现原位同时测量温度‑压力参量。传感元件采用倒装齐平式封装,敏感的弹性膜片直接感受介质温度压力,避免引进气道管腔效应的影响。该测试方法无引压进气道,固有频率约等于敏感元件的固有频率,可实现高频动态测量。
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公开(公告)号:CN116147705B
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202310220997.0
申请日:2023-03-09
Applicant: 大连理工大学 , 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于测试领域,提出一种高温温度和压力原位复合测量传感器、制备及使用方法,包括敏感元件、陶瓷基座和耐高温引线;敏感元件为设有高温电极的弹性膜片,其包括五个铂金属电极和四个氧化铟锡压敏电阻。四个阻值相等的氧化铟锡压敏电阻连成惠斯登电桥。该传感器集成亚微米厚度的铂薄膜热敏电阻和氧化铟锡压敏电阻,实现原位同时测量温度‑压力参量。传感元件采用倒装齐平式封装,敏感的弹性膜片直接感受介质温度压力,避免引进气道管腔效应的影响。该测试方法无引压进气道,固有频率约等于敏感元件的固有频率,可实现高频动态测量。
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公开(公告)号:CN114752900A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210290345.X
申请日:2022-03-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/58 , C23F1/18 , C23F1/28 , G01B21/32
Abstract: 本发明涉及薄膜传感器设计、生产与安装技术领域,具体的,涉及一种薄膜传感器的制备、释放以及转移贴装方法。本发明解决了现有工艺难以在大型构件和具有复杂曲面构件上应用薄膜传感器的问题,各层薄膜应力相互补偿,有效降低了薄膜传感器的残余应力,且有利于发挥MEMS工艺生产效率高的特点。另外,释放后的薄膜传感器可以保存在转移胶带上,运输和储存成本低,粘贴工艺简单,使用方便。
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