公开(公告)号：CN1551239A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410008008.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木利昌 ,  西汤二 ,  藤本正之 ,  粟屋信义 ,  井上刚至 ,  崎山惠三

IPC: G11C13/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、…，但它们之中的90％以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、…的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、…。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、…中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。

公开(公告)号：CN100380524C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200410008008.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木利昌 ,  西汤二 ,  藤本正之 ,  粟屋信义 ,  井上刚至 ,  崎山惠三

IPC: G11C13/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、...，但它们之中的90%以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、...的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、...。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、...中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。

公开(公告)号：CN1641880A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510005723.1

申请日：2005-01-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川添豪哉 ,  玉井幸夫 ,  岛冈笃志 ,  萩原直人 ,  松下祐二 ,  西汤二

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是一种配备了具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体(8)的可变电阻元件的非易失性半导体存储器件的制造方法，在比可变电阻体(8)形成前所形成的金属布线层(11)的熔点低的形成温度下形成可变电阻体(8)。更理想的是，在350℃～500℃范围内的成膜温度下，通过溅射法使得用通式Pr1－xCaxMnO3表示的镨－钙－锰氧化物成膜，作为可变电阻体(8)。