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公开(公告)号：CN102856458B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210088419.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。
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公开(公告)号：CN107017289A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611096841.2
申请日：2016-12-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L21/288
Abstract: 本发明提供一种在硅衬底的单面具有镍膜的半导体器件，该半导体器件的镍膜相对于硅衬底的密合性高。本发明的半导体器件(1)包括：做进到硅衬底(10)的单面(10b)中的、含有V族元素作为杂质的杂质区域(12)；和在硅衬底(10)的单面(10b)上，以覆盖该杂质区域(12)的方式设置的镍膜(14)。该杂质区域(12)的V族元素与该镍膜(14)的镍元素化学键合。
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公开(公告)号：CN102856458A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210088419.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。
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公开(公告)号：CN101286465A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810100340.6
申请日：2008-04-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在步骤(S101)中，利用溅射法形成TiW膜，以覆盖在半导体元件的表面上形成的表面保护膜及焊盘电极。接着，在TiW膜上形成Au膜。在步骤(S103)中，使用Au膜作为电镀用电极，在Au膜上形成Au凸起。在步骤(S105)中，去除不需要的Au膜，在步骤(S106)中，去除不需要的TiW膜。在步骤(S107)中，去除残留在去除了需要TiW膜的区域的碘。
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