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公开(公告)号：CN102822981A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017085.9
申请日：2011-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/146
Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。
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公开(公告)号：CN102870220B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180021486.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/78663 , G02F1/13338 , G02F1/13624 , G06F3/0412 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。
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公开(公告)号：CN102652302A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080055882.1
申请日：2010-11-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/133 , G02F1/1333 , G02F1/135 , G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0428
Abstract: 本发明提供一种光传感器电路，其根据将指示物（P）放置在来自光源（3）的光通过的坐标检测区域（2）时的光接受量的变化，检测坐标检测区域（2）中的指示物（P）的位置坐标。具备因与光源（3）的位置关系而光接受量多的光传感器元件（41）的第一光传感器电路，具备供给将决定光传感器元件（41）的受光灵敏度的阈值特性初始化的刷新信号（shield_A）的第一配线，另一方面，具备光接受量少的光传感器元件（42）的第二光传感器电路，具备与刷新信号（shield_A）独立地供给将光传感器元件（42）的阈值特性初始化的刷新信号（shield_B）的第二配线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102870220A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021486.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/78663 , G02F1/13338 , G02F1/13624 , G06F3/0412 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。
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公开(公告)号：CN102422210A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020520.9
申请日：2010-04-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1345 , G02F2001/133742 , G02F2001/13606
Abstract: 本发明提供能够抑制由附加电容引起的显示品质低下的液晶显示装置。本发明是具备：互相相对配置的第一基板和第二基板；和在上述第一基板和上述第二基板之间夹持有液晶层的液晶显示装置，上述第一基板具有：栅极总线、源极总线、被输入图像信号的像素电极和被输入共用信号的共用电极，上述像素电极和上述共用电极在像素内为梳齿状，在像素中，上述像素电极和上述共用电极之间产生平行于上述第一基板面的电场，上述共用电极，在显示区域中配置在与形成有上述栅极总线的层和形成有上述源极总线的层不同的层。
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公开(公告)号：CN102422211B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080021011.8
申请日：2010-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/139
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明提供能够抑制暗线消失后产生局部明亮的部分的液晶显示装置。本发明是一种液晶显示装置，其包括：相互相对配置的一对基板；和被夹持在上述一对基板之间的液晶层，上述一对基板中的一个基板，在像素中具有各自具有梳齿的一对电极，上述一对电极中的一个电极的梳齿和上述一对电极的另一个电极的梳齿相互咬合，上述液晶层含有p型向列型液晶，并且由上述一对电极之间产生的电场驱动，上述p型向列型液晶，在无施加电压时，与上述一对基板面垂直地取向，在上述一对电极的梳齿的短边方向上，上述一对电极的间隔为10μm以下，上述p型向列型液晶的旋转粘度为130mPa·s以上。
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公开(公告)号：CN102822981B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180017085.9
申请日：2011-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/146
Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。
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公开(公告)号：CN102422211A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021011.8
申请日：2010-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/139
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明提供能够抑制暗线消失后产生局部明亮的部分的液晶显示装置。本发明是一种液晶显示装置，其包括：相互相对配置的一对基板；和被夹持在上述一对基板之间的液晶层，上述一对基板中的一个基板，在像素中具有各自具有梳齿的一对电极，上述一对电极中的一个电极的梳齿和上述一对电极的另一个电极的梳齿相互咬合，上述液晶层含有p型向列型液晶，并且由上述一对电极之间产生的电场驱动，上述p型向列型液晶，在无施加电压时，与上述一对基板面垂直地取向，在上述一对电极的梳齿的短边方向上，上述一对电极的间隔为10μm以下，上述p型向列型液晶的旋转粘度为130mPa·s以上。
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