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公开(公告)号：CN102714152B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180006482.6
申请日：2011-01-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/32 , H01S5/02
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供一种功能元件及其制造方法。该功能元件是在基板上形成层积膜后、将该基板和层积膜分割为所希望的形状而得到的，具有：六方晶系的基板、形成于所述基板的C面上的层积膜、通过将基板分割为四边形而露出的多个分割面，将基板分割为四边形时的分割线的至少一边从基板的[0001]方向观察，与基板的[1-100]、[-1010]、[01-10]的等效方向中的任一方向垂直，并且由分割线所形成的分割面的至少一部分与相对的其他分割面方向倾斜。
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公开(公告)号：CN102714152A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180006482.6
申请日：2011-01-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/32 , H01S5/02
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供一种功能元件及其制造方法。该功能元件是在基板上形成层积膜后、将该基板和层积膜分割为所希望的形状而得到的，具有：六方晶系的基板、形成于所述基板的C面上的层积膜、通过将基板分割为四边形而露出的多个分割面，将基板分割为四边形时的分割线的至少一边从基板的[0001]方向观察，与基板的[1-100]、[-1010]、[01-10]的等效方向中的任一方向垂直，并且由分割线所形成的分割面的至少一部分与相对的其他分割面方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1862845A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080349.6
申请日：2006-05-11
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2924/01078 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光元件安装框和发光装置。在本发明的发光装置中，银合金层(1a、2a、13)形成于其上安装发光元件(4)的框架(1、2、3)的表面的至少一部分上。因为该结构，可以提供具有改善的抗蚀性等和将发射自发光元件的光高效地提取到外部的发光元件安装框架和发光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102884644A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022108.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件（100）的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置。该制造方法包括：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序、以及在AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序，在形成AlNO缓冲层（2）的工序中，在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成AlNO缓冲层（2），环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。
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公开(公告)号：CN102024887A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282757.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/35 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。
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公开(公告)号：CN102024887B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201010282757.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/35 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。
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公开(公告)号：CN102884644B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180022108.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件（100）的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置。该制造方法包括：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序、以及在AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序，在形成AlNO缓冲层（2）的工序中，在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成AlNO缓冲层（2），环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。
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