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公开(公告)号：CN113697780A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111220991.0
申请日：2021-10-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法，属于功能纳米材料形貌调控技术领域。所述方法为：采用氯化铋、亚碲酸钾作为Bi2Te3纳米线的Bi源和Te源，加入去离子水，搅拌处理10～30min，充分混匀后，加入葡萄糖，室温下搅拌备用；在搅拌和冷水浴的条件下，滴加酸液控制溶液的pH在0～6；将溶液置于聚四氟乙烯内衬中将内衬置于不锈钢反应釜中，反应釜拧紧密封，随后置于烘箱加热；反应结束后，自然冷却至室温，将产物置于离心管中，加入乙醇溶液，随后离心，收集下层沉淀样品，进行多次洗涤，最后干燥即可。本发明的Bi2Te3纳米线产品分散性好、稳定性高、纯度高。整个合成方法绿色环保、相对简单，反应条件温和，安全可靠性好，原料价廉易得，对环境友好。
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公开(公告)号：CN113299778B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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公开(公告)号：CN113257933B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110580066.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。
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公开(公告)号：CN116101984A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211441097.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碲化铋/碲/碳异质结纳米线的制备方法，属于功能纳米材料技术领域。所述方法为：取Bi源前驱体和Te源前驱体加入二次蒸馏水中，得到前驱体分散液；恒温水浴或油浴条件下搅拌30min，加入蔗糖还原剂；继续搅拌30min，调控分散液呈现酸性，进行微波反应；反应结束后，自然冷却至室温取样，离心洗涤，真空干燥即可。本发明合成Bi2Te3/Te/C纳米线处于微米尺度，比表面积约为30m2/g，这归因于蔗糖在微波辅助的酸性环境发生分解形成疏松的碳结构。同时这些碳的存在有效避免了纳米线的团聚从而具有较高的稳定性。因具有较高的比表面积和高的稳定性，Bi2Te3/Te/C纳米线异质结在光电催化、光电探测、储能以及环境污染物治理等领域有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113697780B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202111220991.0
申请日：2021-10-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法，属于功能纳米材料形貌调控技术领域。所述方法为：采用氯化铋、亚碲酸钾作为Bi2Te3纳米线的Bi源和Te源，加入去离子水，搅拌处理10～30min，充分混匀后，加入葡萄糖，室温下搅拌备用；在搅拌和冷水浴的条件下，滴加酸液控制溶液的pH在0～6；将溶液置于聚四氟乙烯内衬中将内衬置于不锈钢反应釜中，反应釜拧紧密封，随后置于烘箱加热；反应结束后，自然冷却至室温，将产物置于离心管中，加入乙醇溶液，随后离心，收集下层沉淀样品，进行多次洗涤，最后干燥即可。本发明的Bi2Te3纳米线产品分散性好、稳定性高、纯度高。整个合成方法绿色环保、相对简单，反应条件温和，安全可靠性好，原料价廉易得，对环境友好。
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公开(公告)号：CN115418716B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211145953.8
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115418716A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211145953.8
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二维碲化铋单晶片的CVD制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，并利用滑轨对材料生长过程进行调控，得到了形貌可控的大尺寸二维碲化铋单晶片。该方法可以有效避免升温和降温阶段副反应的发生，大大减少副产物在衬底表面的沉积，所制备的碲化铋单晶片尺寸较大而且形貌可控，呈现规则的六边形或三角形。这种单晶材料拥有单一的晶体取向和更好的结晶质量，使其成为未来光电探测器领域最有潜力的一类材料，这对材料的光电性能的提高具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113299778A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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公开(公告)号：CN113257933A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110580066.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。
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