一种压电陶瓷的压电系数温度特性测试系统及方法

    公开(公告)号:CN119414103A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411550685.7

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷的压电系数温度特性测试系统及方法,属于压电系数测试技术领域。解决了现有技术中传统的压电陶瓷的压电系数测试系统及方法无法对高温环境下的压电陶瓷进行原位表征的问题;本发明设计了压电系数温度特性测试系统,根据获取的理想温度和温度传感器采集待测样品的实际温度,采用加热器的当前输出功率对夹具系统加热,通过控制驱动装置模块对振动台输出正弦交变驱动电压,振动台对夹具系统施加正弦交变力;将待测样品和参考样品两端的电荷转换为电压信号,计算得到对应温度下的待测样品的压电系数。本发明有效实现了对高温环境下的压电陶瓷进行原位压电系数表征,可以应用于高温测试压电陶瓷的压电系数。

    一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119269392A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411371324.6

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本发明涉及一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用,属于太赫兹电极技术领域。为解决现有太赫兹透明电极无法兼具在太赫兹波传播方向透过率高和导电性能好的问题,本发明提供了一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极,包括基底和镍碲化合物薄膜。本发明通过设置不同镍碲面积的靶材制备得到具有不同镍碲比例的镍碲化合物薄膜,实现了对太赫兹透明电极的电导率、透过率和厚度的调节,使其太赫兹波段较高的透过率和高电导率实现平衡,所得基于镍碲化合物的太赫兹透明电极在太赫兹波段透过率高于80%,电导率大于1000S/cm,满足透明导电薄膜的合格标准。本发明制备方法要求低,适用于太赫兹透明电极的实用批量化生产。

    一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法

    公开(公告)号:CN117488404A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311428918.1

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法,属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁,本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源;热台包括台体,台体内部安装有加热盘,台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口,台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口,台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口;电压接口通过数据线连接探针台,探针台安装有探针,探针台通过磁吸环固定在加热盘上;温度测量接口通过温控数据线连接热电偶,热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔;液氮循环接口连接液氮循环管路;加热接口连接供电线;水循环降温管路接口连接水冷循环管路。

    一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法

    公开(公告)号:CN117488404B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311428918.1

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法,属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁,本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源;热台包括台体,台体内部安装有加热盘,台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口,台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口,台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口;电压接口通过数据线连接探针台,探针台安装有探针,探针台通过磁吸环固定在加热盘上;温度测量接口通过温控数据线连接热电偶,热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔;液氮循环接口连接液氮循环管路;加热接口连接供电线;水循环降温管路接口连接水冷循环管路。

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