公开(公告)号：CN119647380A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411726740.3

申请日：2024-11-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  郭子剑 ,  王辰一 ,  冯超 ,  林轩羽 ,  田济羽 ,  陈昊 ,  陈岑 ,  翟国富

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06N3/096

Abstract: MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备，属于MOS场效应管偏压温度不稳定性失效物理建模技术领域。为了解决现有的迁移学习方法并不能针对MOS场效应管失效物理模型的失效机理衍变规律进行迁移学习，从而导致迁移后的模型效果并不理想。本发结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型并确定影响失效物理模型系数的关键参数，然后根据复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则；然后建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型，并基于可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。