-
公开(公告)号：CN100467678C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99%的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol%，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol%，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
-
公开(公告)号：CN100494519C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol%、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt%、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
-
公开(公告)号：CN101024902A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol％、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt％、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576805A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510030089.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/1013 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSb II类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp-p-π-M-n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。
-
公开(公告)号：CN101037801A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol％，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
-
公开(公告)号：CN113088907A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110323797.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制备MgGaZnO陶瓷靶材；步骤二、将石英衬底和MgGaZnO陶瓷靶材放入磁控溅射设备的真空室中进行磁控溅射，得到MgGaZnO薄膜材料；步骤三、将步骤二得到的MgGaZnO薄膜材料进行高温退火处理，得到MgGaZnO薄膜。该方法制备了一种禁带宽度为5.6eV即探测波段位于220nm处的单一立方相的MgGaZnO薄膜材料，解决了MgZnO日盲紫外探测器薄膜材料高镁组分下存在的分相问题，同时通过Ga掺杂改善薄膜的电学性能获得高响应度并且较低的探测波段。
-
公开(公告)号：CN104576805B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510030089.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp?p?π?M?n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。
-
公开(公告)号：CN104576074A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510010665.5
申请日：2015-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 一种超长TiO2纳米线阵列薄膜光阳极的制备方法，属于染料敏化太阳能电池领域。为了解决现有的染料敏化太阳能电池TiO2纳米晶光阳极光生载流子复合损失高的问题，本发明通过一次溶剂热合成反应，以乙醇、盐酸和TiCl4的混合溶液为前驱体，在FTO导电玻璃上生长出超长的一维TiO2纳米线阵列薄膜。将TiO2纳米线阵列薄膜光阳极直接应用在染料敏化太阳能电池上，在其一维结构中，电子传输速率快，光生载流子复合损失小，有利于染料敏化太阳能电池性能的提高。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.052 seconds)
