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公开(公告)号：CN114512606A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210038652.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116761438A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310780374.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用。多功能有机场效应晶体管，包括，栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的共混层；共混层由聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}、6,13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的混合溶液在所述栅绝缘层表面一步涂覆、干燥后制成；位于共混层表面的源电极和漏电极。本发明提供的多功能有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116709790A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310781543.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种有机场效应晶体管、制备方法及应用。有机场效应晶体管，包括栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的功能层；功能层为聚苯乙烯和聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}的共混膜；位于功能层表面的有机半导体层；位于有机半导体层表面的源电极和漏电极。本发明提供的有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统中中具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114512606B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210038652.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。
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公开(公告)号：CN116744696A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310908874.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机半导体与聚合物绝缘材料共混的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自上而下依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层是将P型有机半导体聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)与聚合物绝缘材料聚苯乙烯(PS)共混，采用旋涂共混溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升，稳定性也得到了很大的改善，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN115241376A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210862520.8
申请日：2022-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。
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