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发明公开
一种基于蒸镀F4-TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116471848A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310434614.X

申请日：2023-04-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 , 俞松城 , 沈筠皓 , 王宇 , 缪雨彤 , 李雯

IPC: H10K10/46 , H10K71/16 , H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层，有机半导体层，电荷俘获储层，界面修饰层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极层，界面修饰层修饰在栅绝缘层表面，栅绝缘层位于栅电极层上面。本发明还公开一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够提高器件载流子迁移率，以及提高改善读写擦和维持方面开关比。

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