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公开(公告)号：CN109560195B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201811365078.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN111192957A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010139009.6
申请日：2020-03-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种易失性与非易失性共存的忆阻器件及制备方法及备选制备方法，所述忆阻器件设置在衬底上，所述忆阻器件从上之下依次为保护层、上导电电极、中间功能层和下导电电极，所述保护层和上导电电极的形状和尺寸一一匹配，所述中间功能层和下导电电极的形状和尺寸一一匹配，所述中间功能层包括介质层和敷设在介质层上方的MXene材料膜，所述上导电电极通过掩膜板的开孔溅射在MXene材料膜的顶部，所述下导电电极的顶部、底部分别与中间功能层、衬底相接触，具有模拟生物突触的基本功能，对于低功耗系统的实现具有重要意义，制备方法简单高效、材料成本低、功耗低。
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公开(公告)号：CN109962162A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910129396.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的过渡金属碳化物膜，顶电极通过掩膜板的开孔溅射在过渡金属碳化物膜的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可有效模拟突触权重的变化，实现模拟突触可塑性的功能，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低。
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公开(公告)号：CN109920909A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910129631.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于二维MXene材料的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且所述阻变层、底电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极对称设置在所述MXene材料膜的顶部两端，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。
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公开(公告)号：CN109560195A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811365078.8
申请日：2018-11-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
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