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公开(公告)号：CN117279486A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310844778.X
申请日：2023-07-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法，包括，在异质结忆阻器的底电极上旋涂选聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯撑乙烯撑]MEH‑PPV，形成MEH‑PPV层；在MEH‑PPV层上真空蒸镀全氟酞菁铜F16CuPc，形成F16CuPc层；MEH‑PPV层和F16CuPc层组成异质结忆阻器的功能层。本发明采用真空蒸镀在MEH‑PPV层上制备纳米尺度的F16CuPc薄膜，通过质子和空穴共同的转移作用，两者协同提高器件的传输性能，降低单层器件的开启电压与电流，节约率功率消耗。
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