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公开(公告)号：CN120004318A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510171329.2
申请日：2025-02-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G45/00
Abstract: 本发明属于无机非金属领域，公开了一种宽温域无机负热膨胀材料及其合成方法，请求保护Mn2V2O7材料作为负热膨胀材料的应用。该Mn2V2O7材料可以基于固相反应法制备得到。本发明首次揭示了Mn2V2O7材料的负热膨胀性能，负热膨胀温度区间大：69℃～497℃，负热膨胀系数达‑4×10‑6℃‑1，是一种宽温域无机负热膨胀材料。Mn2V2O7材料不含有Hf、Dy、Lu、W等稀有金属元素，负热膨胀温度区间大，可以与有机物、金属、陶瓷等复合调节其热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN115207427B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210863330.8
申请日：2022-07-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M8/18
Abstract: 本发明属于热电‑电化学电池技术领域，公开了一种基于氧化还原电对的新型热电‑电化学电池及其制备，该基于氧化还原电对的新型热电‑电化学电池，其特征在于，该电池的电解液中分散有氧化还原电对和微型电极，所述微型电极选自氧化物微纳颗粒、半导体化合物微纳颗粒。本发明通过引入微型电极(氧化物颗粒、半导体化合物颗粒)，利用氧化还原电对与微型电极的复合，对热电‑电化学电池的电池循环反应起到促进作用，使反应循环得到加强，从而得到高Seebeck系数的热电‑电化学电池。
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公开(公告)号：CN116940202A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310843797.0
申请日：2023-07-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , H10N10/80 , H01L23/552
Abstract: 本发明属于功能薄膜材料领域，具体公开了一种柔性电磁屏蔽和热电致冷一体化功能薄膜，该功能薄膜自下而上包括柔性衬底、底电极、铁电薄膜层和热电薄膜层；所述功能薄膜还经过了极化处理，极化所采用的电场方向垂直于所述热电薄膜层的表面。本发明通过对功能薄膜的组成进行改进，在柔性衬底上依次设置底电极、铁电薄膜层和热电薄膜层，如此形成一个电容器式的多层结构，通过对铁电层进行极化，极化之后的铁电层由于表面电荷效应会有效提升热电薄膜的电运输性能，能够显著提高热电制冷性能；同时，由于底电极具有抗电磁效应，得到的薄膜具有电磁屏蔽和热电致冷一体化功能，可用于消除电磁波污染并降低局部过热以确保电子设备的可靠运行。
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公开(公告)号：CN115490519A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211184713.9
申请日：2022-09-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C01B19/00 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明属于新型高熵半导体材料领域，公开了一类AgMnSbTe3基高熵半导体材料及其制备，该高熵半导体材料的化学式为AgMnXYSbTe5，其中，X，Y选自Ge，Sn，Pb中任意两种不同的元素，并且，Ag元素、Mn元素、X元素、Y元素、Sb元素和Te元素六者原子之比为1：1：1：1：1：5。本发明通过对材料的组成进行改进，相应得到的AgMnXYSbTe5(如，AgMnGePbSbTe5、AgMnGeSnSbTe5、AgMnSnPbSbTe5)，是具有面心立方晶格结构的高熵半导体，隶属于Fm3m空间群，尤其可以用作热电材料。
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公开(公告)号：CN115322519A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210883222.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子封装材料技术领域，公开了一种多功能高分子基电子封装材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)将三聚氰胺泡沫高温碳化，得到三维碳网络结构；(2)将它与二价金属盐、三价金属盐、尿素、氟化铵、溶剂混合搅拌均匀得到反应前驱液，并进行水热反应，从而获得表面生长CO32‑插层的双金属氢氧化物的三维碳网络结构；(3)将它填充到高分子聚合物基材中，从而得到具备导热、阻燃和电磁波吸收的多功能高分子基电子封装材料。本发明通过对复合材料的组成、结构及对应的制备方法整体工艺流程设计等进行改进，制备方法过程简便、成本低廉，能够克服现有功能化电子封装材料因填充量过高所导致的机械强度严重下降等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119663041A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411839409.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于热电材料领域，公开了一种高性能无机塑性热电材料的快速制备方法，包括以下步骤：(1)根据无机塑性热电材料化学式中各元素的名义化学剂量比，称取各元素所对应的单质材料粉末；(2)混合得到混合粉末；(3)将混合粉末置于石英管中，抽真空后密封；(4)将真空密封的石英管置于石墨坩埚内，再将坩埚置于感应加热线圈内，加热至1000℃‑1100℃保温10‑20分钟以进行感应加热熔炼，即可得到无机塑性热电材料铸锭。本发明通过对制备方法的工艺进行改进，基于感应加热，仅需要利用感应加热在1000℃‑1100℃保温10‑20分钟，即可实现无机塑性热电材料的快速制备，且制得的无机塑性热电材料在热电性能与塑性方面均表现出高性能的特点。
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公开(公告)号：CN119118681A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411363261.X
申请日：2024-09-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种多层石墨包覆氮化铝陶瓷粉体的制备方法及其应用。该应用为石墨烯包覆氮化铝粉体作为导热吸波材料基体在导热垫片中的应用，采用氮化铝粉料为基体，使用单宁酸对粉体表面进行改性使氧化石墨烯包覆到氮化铝表面，经过高温还原在氮化铝表面形成一层石墨烯球壳，具有优异的吸波性能。本发明通过单宁酸作为表面改性剂制备石墨烯包覆氮化铝粉体，包覆过程减少了有机试剂的使用，减低制备过程中对环境的污染；应用于导热吸波垫片中可以保证垫片具有优异的热导率和拉伸强度，符合Rohs和无卤要求，得到了环境友好型导热垫片。
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公开(公告)号：CN118405682A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410506610.2
申请日：2024-04-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子封装用负热膨胀材料技术领域，公开了一种负热膨胀阻燃材料及其在低热膨胀和优异阻燃性能的复合材料中的应用，负热膨胀阻燃材料其化学式为Zn1.5Cu0.5P2O7，为斜方晶系，空间群为C2/m，可用于降低复合材料热膨胀系数。该新型的负热膨胀材料Zn1.5Cu0.5P2O7，在室温至190℃的温度区间均具有负热膨胀系数；进一步的，可将其与环氧树脂复合制备低膨胀阻燃型环氧树脂复合材料，尤其可用于第三代功率半导体封装。特定配比得到的环氧树脂基复合材料，热膨胀系数为4.00×10‑6K‑1，热膨胀系数与第三代半导体SiC和GaN接近，尤其可用于第三代功率半导体封装。
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公开(公告)号：CN117568772A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311747961.4
申请日：2023-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于能源转换技术领域，公开了一种Bi2Te3基热电器件用Ni基阻挡层的磁控溅射制备方法，该制备方法是在光滑洁净的Bi2Te3热电基片上利用磁控溅射沉积Ni基阻挡层；在磁控溅射中，磁控溅射的氛围为氩气，氩气流为95sccm，压强设置为3.5Pa，基片旋转速度为2‑10r/min，基片温度为50‑200℃。本发明通过磁控溅射在Bi2Te3基热电材料上直接磁控溅射形成Ni基阻挡层，不同于常规电镀和放电等离子烧结(SPS)，磁控溅射既提高了镀层的清洁度，避免了电镀等方法产生的大量界面杂质；又降低了Ni阻挡层的制备温度，避免了Bi2Te3基热电材料在高温下发生成分分解、熔化等难题。
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公开(公告)号：CN117430160A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311419478.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G29/00 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明属于新型高熵半导体材料领域，公开了一种N型高熵半导体AgBiPbSe2S材料及其制备，该N型高熵半导体材料的化学式为AgBiPbSe2S，其中，Ag元素、Bi元素、Pb元素、Se元素和S元素五者原子之比为1：1：1：2：1；该材料晶格结构为面心立方结构，空间群为Fm3m。本发明通过对材料的组成进行改进，得到的AgBiPbSe2S材料既可以作为N型半导体材料，又具有高熵的特性，具有面心立方晶格结构，隶属于Fm3m空间群，尤其可以用作N型热电材料。另外，基于本发明，可以利用高温熔炼实现固相反应、得到目标AgBiPbSe2S材料，制备便捷，可实现大规模制备。
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