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公开(公告)号：CN117568772A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311747961.4
申请日：2023-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于能源转换技术领域，公开了一种Bi2Te3基热电器件用Ni基阻挡层的磁控溅射制备方法，该制备方法是在光滑洁净的Bi2Te3热电基片上利用磁控溅射沉积Ni基阻挡层；在磁控溅射中，磁控溅射的氛围为氩气，氩气流为95sccm，压强设置为3.5Pa，基片旋转速度为2‑10r/min，基片温度为50‑200℃。本发明通过磁控溅射在Bi2Te3基热电材料上直接磁控溅射形成Ni基阻挡层，不同于常规电镀和放电等离子烧结(SPS)，磁控溅射既提高了镀层的清洁度，避免了电镀等方法产生的大量界面杂质；又降低了Ni阻挡层的制备温度，避免了Bi2Te3基热电材料在高温下发生成分分解、熔化等难题。
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