一类AgMnSbTe3基高熵半导体材料及其制备

    公开(公告)号:CN115490519B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211184713.9

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本发明属于新型高熵半导体材料领域,公开了一类AgMnSbTe3基高熵半导体材料及其制备,该高熵半导体材料的化学式为AgMnXYSbTe5,其中,X,Y选自Ge,Sn,Pb中任意两种不同的元素,并且,Ag元素、Mn元素、X元素、Y元素、Sb元素和Te元素六者原子之比为1:1:1:1:1:5。本发明通过对材料的组成进行改进,相应得到的AgMnXYSbTe5(如,AgMnGePbSbTe5、AgMnGeSnSbTe5、AgMnSnPbSbTe5),是具有面心立方晶格结构的高熵半导体,隶属于Fm3m空间群,尤其可以用作热电材料。

    一类新型半导体材料及其合成方法

    公开(公告)号:CN115432671A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210981049.4

    申请日:2022-08-16

    Abstract: 本发明属于新型半导体材料领域,公开了一类新型半导体材料及其合成方法,该类金刚石半导体材料具体为Cu3‑xAgxInSnSe5半导体材料,其中,0≤x≤1。其晶格结构为正方结构,空间群为本发明通过对材料的组成、结构进行改进,将Cu2SnSe3与CuInSe2(或AgInSe2)这些不同的类金刚石化合物的四面体基元进行重新排列,得到多元的Cu3‑xAgxInSnSe5类金刚石半导体材料,具有四方结构并且,本发明制备方法成本低廉,可大规模推广应用。

    一种可拓展的通用型材料及器件电学性能测试系统

    公开(公告)号:CN113933625A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111144607.3

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 本发明属于材料性能测试技术领域,公开了一种可拓展的通用型材料及器件电学性能测试系统,该系统包括温度控制模块、测试腔体气氛控制模块、样品夹持模块、样品弯曲拉伸循环模块、电学性能采集模块、以及用于容纳待测试样品的测试腔体,其中样品夹持模块同时包括以下至少2组样品台,每1组样品台包括一对样品台用于配合夹持一类待测试样品,从而能够实现对至少2类待测试样品的测试。本发明通过对关键组件的结构、关键模块的内部构造及设置方式进行创新设计,并通过对各模块之间的工作配合方式进行创新改进,与现有技术相比可以有效解决多形态多种类样品的电学性能测试的问题,是一种通用、动静态结合、综合有效的测试系统。

    一种基于氧化还原电对的新型热电-电化学电池及其制备

    公开(公告)号:CN115207427B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202210863330.8

    申请日:2022-07-20

    Abstract: 本发明属于热电‑电化学电池技术领域,公开了一种基于氧化还原电对的新型热电‑电化学电池及其制备,该基于氧化还原电对的新型热电‑电化学电池,其特征在于,该电池的电解液中分散有氧化还原电对和微型电极,所述微型电极选自氧化物微纳颗粒、半导体化合物微纳颗粒。本发明通过引入微型电极(氧化物颗粒、半导体化合物颗粒),利用氧化还原电对与微型电极的复合,对热电‑电化学电池的电池循环反应起到促进作用,使反应循环得到加强,从而得到高Seebeck系数的热电‑电化学电池。

    一类AgMnSbTe3基高熵半导体材料及其制备

    公开(公告)号:CN115490519A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211184713.9

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本发明属于新型高熵半导体材料领域,公开了一类AgMnSbTe3基高熵半导体材料及其制备,该高熵半导体材料的化学式为AgMnXYSbTe5,其中,X,Y选自Ge,Sn,Pb中任意两种不同的元素,并且,Ag元素、Mn元素、X元素、Y元素、Sb元素和Te元素六者原子之比为1:1:1:1:1:5。本发明通过对材料的组成进行改进,相应得到的AgMnXYSbTe5(如,AgMnGePbSbTe5、AgMnGeSnSbTe5、AgMnSnPbSbTe5),是具有面心立方晶格结构的高熵半导体,隶属于Fm3m空间群,尤其可以用作热电材料。

    一种多功能高分子基电子封装材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115322519A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210883222.7

    申请日:2022-07-26

    Abstract: 本发明属于电子封装材料技术领域,公开了一种多功能高分子基电子封装材料及其制备方法,制备方法包括以下步骤:(1)将三聚氰胺泡沫高温碳化,得到三维碳网络结构;(2)将它与二价金属盐、三价金属盐、尿素、氟化铵、溶剂混合搅拌均匀得到反应前驱液,并进行水热反应,从而获得表面生长CO32‑插层的双金属氢氧化物的三维碳网络结构;(3)将它填充到高分子聚合物基材中,从而得到具备导热、阻燃和电磁波吸收的多功能高分子基电子封装材料。本发明通过对复合材料的组成、结构及对应的制备方法整体工艺流程设计等进行改进,制备方法过程简便、成本低廉,能够克服现有功能化电子封装材料因填充量过高所导致的机械强度严重下降等问题。

    一种类金刚石半导体材料及其合成方法

    公开(公告)号:CN115432671B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202210981049.4

    申请日:2022-08-16

    Abstract: 本发明属于半导体材料领域,公开了一种类金刚石半导体材料及其合成方法,该类金刚石半导体材料具体为Cu3‑xAgxInSnSe5半导体材料,其中,0≤x≤1。其晶格结构为正方结构,空间群为#imgabs0#本发明通过对材料的组成、结构进行改进,将Cu2SnSe3与CuInSe2(或AgInSe2)这些不同的类金刚石化合物的四面体基元进行重新排列,得到多元的Cu3‑xAgxInSnSe5类金刚石半导体材料,具有四方结构#imgabs1#并且,本发明制备方法成本低廉,可大规模推广应用。

    一种多功能高分子基电子封装材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115322519B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202210883222.7

    申请日:2022-07-26

    Abstract: 本发明属于电子封装材料技术领域,公开了一种多功能高分子基电子封装材料及其制备方法,制备方法包括以下步骤:(1)将三聚氰胺泡沫高温碳化,得到三维碳网络结构;(2)将它与二价金属盐、三价金属盐、尿素、氟化铵、溶剂混合搅拌均匀得到反应前驱液,并进行水热反应,从而获得表面生长CO32‑插层的双金属氢氧化物的三维碳网络结构;(3)将它填充到高分子聚合物基材中,从而得到具备导热、阻燃和电磁波吸收的多功能高分子基电子封装材料。本发明通过对复合材料的组成、结构及对应的制备方法整体工艺流程设计等进行改进,制备方法过程简便、成本低廉,能够克服现有功能化电子封装材料因填充量过高所导致的机械强度严重下降等问题。

    一种基于氧化还原电对的新型热电-电化学电池及其制备

    公开(公告)号:CN115207427A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210863330.8

    申请日:2022-07-20

    Abstract: 本发明属于热电‑电化学电池技术领域,公开了一种基于氧化还原电对的新型热电‑电化学电池及其制备,该基于氧化还原电对的新型热电‑电化学电池,其特征在于,该电池的电解液中分散有氧化还原电对和微型电极,所述微型电极选自氧化物微纳颗粒、半导体化合物微纳颗粒。本发明通过引入微型电极(氧化物颗粒、半导体化合物颗粒),利用氧化还原电对与微型电极的复合,对热电‑电化学电池的电池循环反应起到促进作用,使反应循环得到加强,从而得到高Seebeck系数的热电‑电化学电池。

    一种可拓展的通用型材料及器件电学性能测试系统

    公开(公告)号:CN113933625B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202111144607.3

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 本发明属于材料性能测试技术领域,公开了一种可拓展的通用型材料及器件电学性能测试系统,该系统包括温度控制模块、测试腔体气氛控制模块、样品夹持模块、样品弯曲拉伸循环模块、电学性能采集模块、以及用于容纳待测试样品的测试腔体,其中样品夹持模块同时包括以下至少2组样品台,每1组样品台包括一对样品台用于配合夹持一类待测试样品,从而能够实现对至少2类待测试样品的测试。本发明通过对关键组件的结构、关键模块的内部构造及设置方式进行创新设计,并通过对各模块之间的工作配合方式进行创新改进,与现有技术相比可以有效解决多形态多种类样品的电学性能测试的问题,是一种通用、动静态结合、综合有效的测试系统。

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