公开(公告)号：CN118405682A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410506610.2

申请日：2024-04-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗裕波 ,  杨君友 ,  李优 ,  马文远 ,  熊天顺 ,  刚双福 ,  葛朗 ,  李鑫 ,  姜庆辉

IPC: C01B25/45 ,  C08K3/32 ,  C08L63/00

Abstract: 本发明属于电子封装用负热膨胀材料技术领域，公开了一种负热膨胀阻燃材料及其在低热膨胀和优异阻燃性能的复合材料中的应用，负热膨胀阻燃材料其化学式为Zn1.5Cu0.5P2O7，为斜方晶系，空间群为C2/m，可用于降低复合材料热膨胀系数。该新型的负热膨胀材料Zn1.5Cu0.5P2O7，在室温至190℃的温度区间均具有负热膨胀系数；进一步的，可将其与环氧树脂复合制备低膨胀阻燃型环氧树脂复合材料，尤其可用于第三代功率半导体封装。特定配比得到的环氧树脂基复合材料，热膨胀系数为4.00×10‑6K‑1，热膨胀系数与第三代半导体SiC和GaN接近，尤其可用于第三代功率半导体封装。

公开(公告)号：CN120004318A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510171329.2

申请日：2025-02-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗裕波 ,  杨君友 ,  李优 ,  熊天顺 ,  马文远 ,  葛朗 ,  刘栋杰 ,  李鑫 ,  姜庆辉

IPC: C01G45/00

Abstract: 本发明属于无机非金属领域，公开了一种宽温域无机负热膨胀材料及其合成方法，请求保护Mn2V2O7材料作为负热膨胀材料的应用。该Mn2V2O7材料可以基于固相反应法制备得到。本发明首次揭示了Mn2V2O7材料的负热膨胀性能，负热膨胀温度区间大：69℃～497℃，负热膨胀系数达‑4×10‑6℃‑1，是一种宽温域无机负热膨胀材料。Mn2V2O7材料不含有Hf、Dy、Lu、W等稀有金属元素，负热膨胀温度区间大，可以与有机物、金属、陶瓷等复合调节其热膨胀系数。

公开(公告)号：CN117819492A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311803622.3

申请日：2023-12-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗裕波 ,  杨君友 ,  李优 ,  熊天顺 ,  陶阳 ,  刚双福 ,  姜庆辉 ,  李鑫

IPC: C01B21/064 ,  C01G49/00

Abstract: 本发明属于无机非金属领域，公开了一种低维六方氮化硼(片、管和纤维)的低温合成方法，该方法以KFeO2为催化剂，以无定形硼粉为硼源，通过将两者的混合物在含N元素气氛的条件下于700‑1000℃反应，由此得到低维六方氮化硼材料；或者，是以硼酸为硼源，以尿素或者三聚氰胺为氮源，将它们共同溶解得到混合溶液，接着进行低温超声处理或是对其进行静电纺丝，冷冻干燥，再在保护性气体的条件下于700‑1000℃反应，由此得到低维六方氮化硼材料。本发明中的新型低温合成h‑BN的方法，不同于现有技术需要使用1100℃以上的合成温度，合成方法的温度为700‑1000℃，操作简单，反应温度低，生产成本低，能够有效推进低维六方氮化硼(片、管和纤维)的广泛应用。

公开(公告)号：CN119392346A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411510432.7

申请日：2024-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗裕波 ,  杨君友 ,  熊天顺 ,  李优 ,  马文远 ,  刚双福 ,  葛朗

IPC: C30B1/10 ,  C30B29/40 ,  C30B29/62 ,  C04B35/81 ,  C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  H01L23/15 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明属于晶须材料生长及陶瓷基板制备技术领域，公开了一种氮化铝晶须和高强、高导热陶瓷基板的制备方法，其中氮化铝晶须的制备方法是以铝粉为原料，铵盐为诱导剂，将铝粉与诱导剂按2:1～1:2质量比混合后，于氮气和/或氨气气氛条件下在800～1100℃的温度下保温0.5～2h进行氮化反应。本发明通过对晶须和陶瓷基板合成方法进行改进，通过快速氮化法可控合成了形貌和长径比均匀的氮化铝晶须，并在无额外助烧剂和强化剂的参与下、仅以氮化铝晶须作为添加剂，将氮化铝晶须与球形氮化铝烧结，得到了高强、高导热氮化铝陶瓷基板，具有较高的力学强度和热导率。