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公开(公告)号：CN106124637A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610643497.8
申请日：2016-08-08
Applicant: 华中科技大学无锡研究院
IPC: G01N29/26
CPC classification number: G01N29/26 , G01N2291/023 , G01N2291/2626
Abstract: 本发明公开了一种用于钻杆水浸超声探伤的三级跟踪装置，其包括水箱、水箱垂向跟踪组件、轴向转动跟踪组件、径向转动跟踪组件以及超声探头组件，通过水箱垂向跟踪组件实现对钻杆下母线在垂直方向上跳动的跟踪；轴向转动跟踪组件确保摇臂框架两端的耐磨瓦与钻杆杆体完全贴合，实现超声探头聚焦线对钻杆杆体因在辊轮上抬升或下沉造成的在轴向垂面上的摆动的对准；径向转动跟踪组件使耐磨瓦与钻杆杆体贴合，确保在水平方向上探头聚焦线浮动对准钻杆下母线。上述用于钻杆水浸超声探伤的三级跟踪装置将聚焦探头准确对准于运动中钻杆的下母线上，保证了超声探伤的稳定性和可靠性，尤其适用于钻杆螺旋前进时的水浸超声探伤。
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公开(公告)号：CN102376689A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110266286.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种具有台阶的硅通孔结构，包括半导体衬底和贯穿所述半导体衬底的具有台阶的通孔，所述台阶通孔侧壁依次沉积有绝缘层、粘附层、阻挡层，通孔内填充有金属导体，半导体衬底表面上还依次沉积有由绝缘层、粘附层、阻挡层、导电层沉积构成的互连结构，互连结构中的导电层与金属导体相连接。本发明提供了上述硅通孔结构的制备工艺。本发明硅通孔中的台阶能够容忍电镀填孔过程中局部电镀速率差异引起的铜柱凸出高度差异，避免在化学机械抛光(CMP)工艺、键合工艺中由于前述问题引起的硅片破裂。
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公开(公告)号：CN101746706A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910272424.2
申请日：2009-10-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: MEMS圆片级真空封装横向互连结构及其制造方法，属于微机电系统的导线互连结构，解决键合过程中气密性问题，实现真空腔内外电信号的连通。本发明互连结构，在硅基板表面依次具有SiO2绝缘层和多个电极，各电极在硅基板表面的SiO2绝缘层上周向分散排列，各电极引线上自下而上依次具有闭合曲线形状的绝缘介质层和键合环，键合环内部封闭空间为真空腔，用于放置MEMS器件；硅盖板与键合环完成键合。本发明的制造方法，依次包括热氧化SiO2绝缘介质层、制作金属电极、沉积绝缘介质层、生长多晶硅、化学机械抛光、键合步骤。本发明键合应力小、密封质量高、可靠性好、成本较低，可极大促进圆片级MEMS真空封装技术的商业化推广。
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公开(公告)号：CN101608962A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910062620.7
申请日：2009-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种微型皮拉尼计，属于微机电系统的真空度测量器件，克服现有微型皮拉尼计体积大、灵敏度不够高的问题。本发明在硅衬底上具有凹槽，凹槽表面架有隔热层，隔热层表面覆盖绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极；所述加热体为形状弯曲的铂或镍金属；所述绝缘层材料为氮化硅或二氧化硅；所述隔热层材料为二氧化硅、氮化硅中的一种或两种。本发明体积小、重量轻而且性能稳定，加热体采用金属铂，它的线性度好、性能稳定、灵敏度高、有良好的化学稳定性；其制造工艺简单、成本低、成品率高、可靠性高。适用于各种大小真空封装以及微型腔体中进行真空度实时检测。
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公开(公告)号：CN101638212A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910306690.2
申请日：2009-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 微机电系统圆片级真空封装互连结构及其制造方法，属于微机电系统的导线互连结构及其制造方法，解决现有互连结构套刻精度要求较高、不能保证腐蚀深度一致性的问题，提高真空度保持性，并实现电信号连通。本发明的互连结构，硅基板上开有通孔，通孔和硅基板表面具有绝缘层，金属电极穿过通孔并将其封闭，金属电极和绝缘层之间具有中间层，盖板与硅基板键合，盖板内的空间为放置MEMS器件的真空腔。本发明的方法包括：刻蚀通孔、制作绝缘层、制作中间层、制作金属电极、制作焊环或者腐蚀形成环形槽以及键合等步骤。本发明密封质量高、真空保持时间长、键合应力小、可靠性好，而成本较低，可极大促进圆片级MEMS真空封装技术的商业化推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101554987A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910061897.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准IC工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封装，可以在常规的IC生产厂实现生产，极大的推动圆片级MEMS真空封装技术的发展和推广。
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公开(公告)号：CN116556259A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310338437.5
申请日：2023-03-31
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可快速搭建的变电站防水淹墙，包括第一支撑脚和第二支撑脚，所述第一支撑脚和第二支撑脚之间设置有隔断机构，所述第一支撑脚和第二支撑脚上连接有第一填充机构，所述第一支撑脚和第二支撑脚侧壁上设有拼接机构，所述拼接机构上连接有第二填充机构；本发明为一种可快速搭建的变电站防水淹墙，在变电站水位上升时，搭建一道防护墙，挡板阻挡水流，防水袋对其进行填充，从而减少水的渗透，框体和子铆体内部的砂石放出，可对防水袋和挡板之间的缝隙、子铆体和母铆体之间的缝隙进行填充，从而增加防水性能，通过子铆体和母铆体的快速搭建，橡胶垫能够增加母铆体和子铆体之间的密闭性，从而达到良好的防止渗透被淹的效果。
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公开(公告)号：CN101608962B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910062620.7
申请日：2009-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种微型皮拉尼计，属于微机电系统的真空度测量器件，克服现有微型皮拉尼计体积大、灵敏度不够高的问题。本发明在硅衬底上具有凹槽，凹槽表面架有隔热层，隔热层表面覆盖绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极；所述加热体为形状弯曲的铂或镍金属；所述绝缘层材料为氮化硅或二氧化硅；所述隔热层材料为二氧化硅、氮化硅中的一种或两种。本发明体积小、重量轻而且性能稳定，加热体采用金属铂，它的线性度好、性能稳定、灵敏度高、有良好的化学稳定性；其制造工艺简单、成本低、成品率高、可靠性高。适用于各种大小真空封装以及微型腔体中进行真空度实时检测。
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公开(公告)号：CN101554988A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910061898.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片MEMS器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级MEMS真空封装技术的发展和推广。
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公开(公告)号：CN106124637B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610643497.8
申请日：2016-08-08
Applicant: 华中科技大学无锡研究院
IPC: G01N29/26
Abstract: 本发明公开了一种用于钻杆水浸超声探伤的三级跟踪装置，其包括水箱、水箱垂向跟踪组件、轴向转动跟踪组件、径向转动跟踪组件以及超声探头组件，通过水箱垂向跟踪组件实现对钻杆下母线在垂直方向上跳动的跟踪；轴向转动跟踪组件确保摇臂框架两端的耐磨瓦与钻杆杆体完全贴合，实现超声探头聚焦线对钻杆杆体因在辊轮上抬升或下沉造成的在轴向垂面上的摆动的对准；径向转动跟踪组件使耐磨瓦与钻杆杆体贴合，确保在水平方向上探头聚焦线浮动对准钻杆下母线。上述用于钻杆水浸超声探伤的三级跟踪装置将聚焦探头准确对准于运动中钻杆的下母线上，保证了超声探伤的稳定性和可靠性，尤其适用于钻杆螺旋前进时的水浸超声探伤。
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