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公开(公告)号：CN116507131A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310436009.6
申请日：2023-04-21
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于磁子流效应的存储器，属于存储器领域，包括衬底、拓扑绝缘体单元、磁子结单元和声体波激励单元；其中磁子结单元由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层、第二铁磁绝缘体层以及重金属层；声体波激励单元用于向磁子结单元提供声体波激励，借助声子‑磁子相互作用以激发磁子结单元中磁子流，磁子结单元中的重金属层可以将磁子流以逆自旋霍尔效应电压的形式体现，拓扑绝缘体改变磁子结单元中第一铁磁绝缘体层的磁矩排列方向，进而调节磁子结单元中磁子流的大小，从而实现该磁子结单元的高电平与低电平。本发明利用拓扑绝缘体翻转磁子结单元磁矩，以声体波激励驱动磁子结，是一种新型存储器件结构。
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公开(公告)号：CN113257992B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110702629.0
申请日：2021-06-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构，包括：拓扑绝缘体层、磁子阀部件及金属电极由下至上依次位于衬底上；磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层及第二铁磁绝缘体层，或磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、非铁磁层及第二铁磁绝缘体层；所述第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同或者相反的磁矩方向；磁子阀结构的逆自旋霍尔电压在所述拓扑绝缘体层通入电流前后电平状态会改变。本发明利用拓扑绝缘体的高自旋霍尔角和高电导率特性，提升电流翻转磁矩的效率，可以将该磁子阀结构作为一种高效率、低损耗的新型存储器件结构。
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公开(公告)号：CN108318798B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810091316.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法，检测装置包括：信号发生单元产生输入射频信号并传输至声表面波器件；气体腔通入不同化学性质的气体以改变声表面波器件中气敏薄膜的载流子浓度；信号检测单元接收声表面波器件在与气体腔中气体作用下对输入射频信号进行放大处理后输出的输出射频信号；以及信号处理单元，其输入端依次与信号发生单元的第二输出端和信号检测单元的输出端连接，根据输出射频信号与输入射频信号的比值关系来判断该声表面波器件是否存在对声表面波进行放大处理。该检测装置通过通入敏感气体，改变声表面波器件中气敏薄膜中载流子的浓度，更好的检测出声波面波器件中声电放大效应。
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公开(公告)号：CN116930829A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310905698.0
申请日：2023-07-21
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种基于体声波自旋泵浦效应的磁传感器，属于磁传感器技术领域。本发明包括体声波换能器和自旋泵浦结构，所述体声波换能器启动后输出体声波，所述体声波在待测磁场下激励所述自旋泵浦结构输出磁子流，所述磁子流通过逆自旋霍尔效应产生逆自旋霍尔电压，由所述逆自旋霍尔电压的变化推导待测磁场强度及方向；本发明公开的磁传感器，具有高灵敏度、低功耗和易于集成等优点，在磁传感器技术中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113257992A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110702629.0
申请日：2021-06-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构，包括：拓扑绝缘体层、磁子阀部件及金属电极由下至上依次位于衬底上；磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层及第二铁磁绝缘体层，或磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、非铁磁层及第二铁磁绝缘体层；所述第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同或者相反的磁矩方向；磁子阀结构的逆自旋霍尔电压在所述拓扑绝缘体层通入电流前后电平状态会改变。本发明利用拓扑绝缘体的高自旋霍尔角和高电导率特性，提升电流翻转磁矩的效率，可以将该磁子阀结构作为一种高效率、低损耗的新型存储器件结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107543570B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
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公开(公告)号：CN118425248A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410534343.X
申请日：2024-04-30
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于氮氧传感器输出衰减补偿技术领域，公开了一种基于内阻实时测量的氮氧传感器输出衰减系数计算方法及补偿方法，包括：在标准工况下对氮氧传感器进行循环老化测试；每间隔设定循环老化时间下，测量氮氧传感器测量电极和参考电极之间的内阻R，建立内阻R与老化时间之间对应关系曲线R＝f1(t)；以及测量在设定NOx浓度下氮氧传感器测量泵输出的响应电流Ip2，建立测量泵输出的响应电流Ip2与老化时间之间对应关系曲线，进而确定衰减系数v；将R＝f1(t)与衰减系数v联立，得到衰减系数v与内阻R间的对应关系v＝f2(R)。本发明能够实现输出衰减系数的实时计算及输出衰减的实时补偿，并提升氮氧化物传感器读数的准确度。
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公开(公告)号：CN108318798A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810091316.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法，检测装置包括：信号发生单元产生输入射频信号并传输至声表面波器件；气体腔通入不同化学性质的气体以改变声表面波器件中气敏薄膜的载流子浓度；信号检测单元接收声表面波器件在与气体腔中气体作用下对输入射频信号进行放大处理后输出的输出射频信号；以及信号处理单元，其输入端依次与信号发生单元的第二输出端和信号检测单元的输出端连接，根据输出射频信号与输入射频信号的比值关系来判断该声表面波器件是否存在对声表面波进行放大处理。该检测装置通过通入敏感气体，改变声表面波器件中气敏薄膜中载流子的浓度，更好的检测出声波面波器件中声电放大效应。
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公开(公告)号：CN107543570A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
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公开(公告)号：CN118567131A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410792227.8
申请日：2024-06-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多物理场耦合的光调制器，属于光电子领域。从下至上依次包括第一衬底、波导层、磁性材料层、第二衬底、第一电极、压电片和第二电极，所述第一电极和第二电极用于对压电片施加电压，所述压电片在施加的电压下沿厚度方向振动，用于向磁性材料层注入纵向声波，所述磁性材料层中的磁子通过自旋产生电磁波，与波导层中传输的光信号耦合，从而调制光信号传输。本发明提供的基于多物理场耦合的光调制器通过利用自旋轨道相互作用，将电子、声子、磁子、光子耦合来调制光信号，为对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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