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公开(公告)号：CN108318798B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810091316.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法，检测装置包括：信号发生单元产生输入射频信号并传输至声表面波器件；气体腔通入不同化学性质的气体以改变声表面波器件中气敏薄膜的载流子浓度；信号检测单元接收声表面波器件在与气体腔中气体作用下对输入射频信号进行放大处理后输出的输出射频信号；以及信号处理单元，其输入端依次与信号发生单元的第二输出端和信号检测单元的输出端连接，根据输出射频信号与输入射频信号的比值关系来判断该声表面波器件是否存在对声表面波进行放大处理。该检测装置通过通入敏感气体，改变声表面波器件中气敏薄膜中载流子的浓度，更好的检测出声波面波器件中声电放大效应。
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公开(公告)号：CN108318798A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810091316.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种声表面波器件的声电放大效应检测装置及检测方法，检测装置包括：信号发生单元产生输入射频信号并传输至声表面波器件；气体腔通入不同化学性质的气体以改变声表面波器件中气敏薄膜的载流子浓度；信号检测单元接收声表面波器件在与气体腔中气体作用下对输入射频信号进行放大处理后输出的输出射频信号；以及信号处理单元，其输入端依次与信号发生单元的第二输出端和信号检测单元的输出端连接，根据输出射频信号与输入射频信号的比值关系来判断该声表面波器件是否存在对声表面波进行放大处理。该检测装置通过通入敏感气体，改变声表面波器件中气敏薄膜中载流子的浓度，更好的检测出声波面波器件中声电放大效应。
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公开(公告)号：CN107543570A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
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公开(公告)号：CN107543570B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
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公开(公告)号：CN119675616A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411577582.X
申请日：2024-11-06
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提出了一种基于LiNbO3衬底的InSb基多层膜的制备方法及其应用。该多层膜的制备以LiNbO3为衬底，通过磁控溅射的方式，依次在衬底上沉积缓冲层In(y)Al(1‑y)Sb、有源层InSb和保护层SiOx。本发明的缓冲层In(y)Al(1‑y)Sb能有效减缓晶格失配产生的应力，防止杂质扩散；有源层InSb为声表面波与半导体中载流子相互作用的关键层；保护层SiOx则有效防止了退火导致的有源层InSb性能失效。后续的退火处理进一步提高了多层膜的晶体质量，减小了内应力，去除了残留气体和杂质，从而达到优化多层膜电学性能的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116698240A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310700733.5
申请日：2023-06-14
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提出了一种微环谐振器压力传感装置及其制备方法，包括基底、薄膜及微环谐振阵列；基底上开设有至少一个通孔，通孔两端贯穿基底两个端面；薄膜设置在基底的其中一个端面上，薄膜覆盖通孔的其中一端；至少一个微环谐振阵列设置在薄膜内，微环谐振阵列的微环对准通孔；在基底上开设通孔，并使跑道微环对准通孔，使微环下方悬空，当对器件上面施加载荷，基底上的薄膜会随之发生形变，依附于基底上的光学谐振结构也随之发生形变，从而使波导尺寸与相对折射率发生变化，最终引起输出谱线的偏移，通过检测输出谱线谐振波长的偏移量，就能够得到施加载荷的大小，其灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN115974138B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202211436219.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐溶液和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐溶液混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2。本发明的复合材料Ag2O@SnO2在低温、高真空等极端环境下依然可以用于检测H2S，并且响应速度很快，灵敏度极高。
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公开(公告)号：CN117214265A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311104927.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种检测亚硝酸根离子的电化学传感器及其制备方法，所述电化学传感器包括玻璃碳电极，所述玻璃碳电极上沉积有Au@MoS2/rGO/WO3电极。通过制备形成Au修饰的MoS2/rGO/WO3复合基电化学传感器，并将其应用于检测亚硝酸根离子，由于贵金属组分引起的局域表面等离子共振效应，会促使该电极产生强电流，显著促进亚硝酸根离子的催化氧化，促使电化学传感器响应更快更显著；同时通过设计具有快速异质电子转移速率的电极材料，将导致电化学亚硝酸根离子传感的过电位显著降低；克服了现有电化学传感器受到低温、碱金属、有机硅蒸汽以及缺氧的影响，导致其性能降低的问题。
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公开(公告)号：CN114671399A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210155868.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 华中科技大学 , 孝感华工高理电子有限公司
Abstract: 本发明涉及压力传感器技术领域，提供了一种电容式压力传感器的制备方法，包括如下步骤：S1，于衬底上依次沉积牺牲层和介质层，所述介质层作为所述牺牲层的边界槽；S2，在位于所述牺牲层上的介质层上继续沉积上电极；S3，接着在介质层上形成牺牲层释放孔；S4，从所述牺牲层释放孔对牺牲层进行选择性地释放；S5，接着再在介质层上形成下电极引出孔，并将下电极从该引出孔引出至器件表面；S6，最后将所述牺牲层释放孔密封，从而形成密封腔体。还提供一种电容式压力传感器，由上述方法制备得到。发明由于工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，采用先淀积上电极的步骤保证空腔结构稳定且性能优异。
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公开(公告)号：CN108336979B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810091296.0
申请日：2018-01-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成式射频信号滤波和放大器件，包括：压电衬底及依次排列于压电衬底上的输入换能器、半导体薄膜和输出换能器；输入换能器用于接收射频信号，并将射频信号转化为声表面波；半导体薄膜用于在施加电压的情况对声表面波进行放大处理；输出换能器用于将放大后的声表面波转化为射频信号。半导体薄膜设置于输入换能器和输出换能器之间，且半导体薄膜、输入换能器和输出换能器均置于压电衬底上，输入换能器将位于特定波段的射频信号转化为声表面波，声表面波与施加有电场的半导体薄膜作用实现放大，放大后的声表面波经过输出换能器转化为射频信号，进而实现对射频信号的滤波和放大，该滤波和放大器件具有集成度高的优点。
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