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公开(公告)号：CN119675616A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411577582.X
申请日：2024-11-06
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提出了一种基于LiNbO3衬底的InSb基多层膜的制备方法及其应用。该多层膜的制备以LiNbO3为衬底，通过磁控溅射的方式，依次在衬底上沉积缓冲层In(y)Al(1‑y)Sb、有源层InSb和保护层SiOx。本发明的缓冲层In(y)Al(1‑y)Sb能有效减缓晶格失配产生的应力，防止杂质扩散；有源层InSb为声表面波与半导体中载流子相互作用的关键层；保护层SiOx则有效防止了退火导致的有源层InSb性能失效。后续的退火处理进一步提高了多层膜的晶体质量，减小了内应力，去除了残留气体和杂质，从而达到优化多层膜电学性能的目的。
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公开(公告)号：CN115903979A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211412589.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于精密电流源技术领域，更具体地，涉及一种射频激励的精密微电流源及其工作方法。本发明提供的一种精密微电流源，包括压电衬底、射频信号源、叉指换能器、半导体薄膜以及半导体薄膜两端的电极，基于声表面波与半导体薄膜之间的声电效应，其中射频信号作为激励源，通过叉指换能器在压电衬底表面激励声表面波，声表面波与半导体薄膜之间的声电效应致使半导体薄膜内部产生电流并通过电极输出。本发明精密电流源可以做到无线无源，且其输出电流与输入射频功率存在较好的线性关系，线性区域较宽，通过改变功率即可改变输出电流，输出电流可以做到nA至uA的至少两个数量级的宽量程变化。
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公开(公告)号：CN115903979B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211412589.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于精密电流源技术领域，更具体地，涉及一种射频激励的精密微电流源及其工作方法。本发明提供的一种精密微电流源，包括压电衬底、射频信号源、叉指换能器、半导体薄膜以及半导体薄膜两端的电极，基于声表面波与半导体薄膜之间的声电效应，其中射频信号作为激励源，通过叉指换能器在压电衬底表面激励声表面波，声表面波与半导体薄膜之间的声电效应致使半导体薄膜内部产生电流并通过电极输出。本发明精密电流源可以做到无线无源，且其输出电流与输入射频功率存在较好的线性关系，线性区域较宽，通过改变功率即可改变输出电流，输出电流可以做到nA至uA的至少两个数量级的宽量程变化。
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