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公开(公告)号：CN107543570B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107543570A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710725973.5
申请日：2017-08-22
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于X型声子晶体的无线无源MEMS传感器，包括：谐振器体、链以及锚；谐振器体的中心频率与无线通信的ISM频段吻合，用于接收ISM频段内的射频信号，并将射频信号转换成同频段的声波信号；链使得谐振器体转换得到的声波信号顺着链传播到谐振器体两端的锚；锚上刻蚀有X型声子晶体阵列，用于反射顺着链传播来的声波信号，以使声波信号在谐振器体中产生谐振；谐振器体包括敏感性材料，以使得反射的声波信号在谐振器体中产生谐振后携带待测物理量信息，谐振器体还用于将谐振后的声波信号转换为ISM频段内的射频信号并输出。本发明提供的MEMS传感器Q值较高，可适用于无线无源传输频段。
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公开(公告)号：CN114817843A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210745738.5
申请日：2022-06-29
Applicant: 武汉高德红外股份有限公司 , 武汉高芯科技有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法，包括如下步骤：确定所需优化的元素种类以及半导体种类；利用密度泛函计算各半导体的晶格常数，调节泛函参数或/和元素的赝势和基组，实现各半导体的晶格常数的优化，使计算出的各半导体的晶格常数满足设定要求，确定对应的泛函参数以及各元素的赝势和基组；基于以上步骤优化得到的泛函参数以及各元素的赝势、基组，计算超晶格红外探测材料的能带结构。本发明可以实现各种超晶格红外探测材料的能带结构的精确计算。
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公开(公告)号：CN114817843B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210745738.5
申请日：2022-06-29
Applicant: 武汉高德红外股份有限公司 , 武汉高芯科技有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法，包括如下步骤：确定所需优化的元素种类以及半导体种类；利用密度泛函计算各半导体的晶格常数，调节泛函参数或/和元素的赝势和基组，实现各半导体的晶格常数的优化，使计算出的各半导体的晶格常数满足设定要求，确定对应的泛函参数以及各元素的赝势和基组；基于以上步骤优化得到的泛函参数以及各元素的赝势、基组，计算超晶格红外探测材料的能带结构。本发明可以实现各种超晶格红外探测材料的能带结构的精确计算。
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公开(公告)号：CN106841383B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611225354.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N29/02
Abstract: 本发明公开了一种基于Si衬底的集成式阻抗负载声表面波气体传感器，包括衬底、压电层、输入/输出叉指换能器、反射叉指换能器、敏感叉指电极和气敏薄膜。通过在Si衬底上生长一层薄的SiO2绝缘层和压电层，具有良好的温度特性；Si衬底材料具有低成本、大尺寸、可导电的特点，能与集成电路产业兼容；对叉指电极的排列结构进行了优化，能减少外接传感器造成的声波反射，同时可以减少连接线导致的寄生效应，叉指换能器和敏感叉指电极一次制成，确保了制造过程的简易性，易于大规模生产。本发明实现了传感器的无线无源测量，可以将易受外界影响的传感部分与信号传送部分分开，扩展了传感器的适用范围。
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公开(公告)号：CN106841383A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611225354.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N29/02
CPC classification number: G01N29/022 , G01N2291/021
Abstract: 本发明公开了一种基于Si衬底的集成式阻抗负载声表面波气体传感器，包括衬底、压电层、输入/输出叉指换能器、反射叉指换能器、敏感叉指电极和气敏薄膜。通过在Si衬底上生长一层薄的SiO2绝缘层和压电层，具有良好的温度特性；Si衬底材料具有低成本、大尺寸、可导电的特点，能与集成电路产业兼容；对叉指电极的排列结构进行了优化，能减少外接传感器造成的声波反射，同时可以减少连接线导致的寄生效应，叉指换能器和敏感叉指电极一次制成，确保了制造过程的简易性，易于大规模生产。本发明实现了传感器的无线无源测量，可以将易受外界影响的传感部分与信号传送部分分开，扩展了传感器的适用范围。
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