公开(公告)号：CN118723918A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410885735.0

申请日：2024-07-03

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵斌 ,  白建新 ,  王鹏 ,  王永 ,  宋吉递

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法，包括以下步骤：S1、取SOI硅片，采用湿法腐蚀或干法刻蚀将SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间裸漏的埋层氧化层去除干净，保留中间顶层硅部分；S2、采用溅射或蒸发工艺，在顶层硅面及裸漏的衬底硅面制作一层金属；S3、采用光刻与腐蚀或刻蚀工艺，去除顶层硅部分金属，仅保留顶层硅与衬底硅之间的金属连接，形成顶层硅与衬底硅的导电通道；S4、将SOI硅片与玻璃片对准，进行阳极键合。本发明的有益效果是，在SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间形成导电通道，再与玻璃片进行精确的对准并键合，形成适用绝大多数应用场景的一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法。

公开(公告)号：CN118712046A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410812766.3

申请日：2024-06-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 常赟 ,  潘佳乐 ,  宋吉递 ,  宫井路 ,  朱丽

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明涉及一种去除PAD刻蚀工艺后F残留的方法，其特征在于在PAD刻蚀工艺后立即通入氩气和氧气进行等离子启辉清洗，所述氩气量为300‑400sccm，氧气流量为50‑100sccm，腔室压力为200‑300mT，射频功率为200‑400W，时间为30‑60s。本发明的优点：工艺简单，易于操作，生产效率高；可有效防止湿法清洗对金属焊盘的腐蚀，保证了器件的性能；且无需单独的清洗设备，成本低。