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公开(公告)号:CN119341333A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411614259.5
申请日:2024-11-13
Applicant: 北京精密机电控制设备研究所
IPC: H02M1/088 , H02M1/00 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种串联SiC MOSFET的开关电路、实验平台系统和功率板,该开关电路包括:两个SiC MOSFET和Si IGBT,两个SiC MOSFET串联后与Si IGBT并联。采用闭环均压控制方案,克服串联MOS管间的关断电压不均,保障混合开关电压平衡。该开关在提升传统开关器件功率密度、效率、电压等级等特性的前提下,完成驱动方案,电路布局等方面的优化设计,实现功率器件在高频和高负载下工况下的性能优化。
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公开(公告)号:CN119758804A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411695521.3
申请日:2024-11-25
Applicant: 北京精密机电控制设备研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种非相似余度控制电路,属于非相似余度冗余控制技术领域。该电路包括主份ZYNQ处理器电路、备份DSP处理器电路、对外主份RS422通讯电路、对外备份RS422通讯电路、主份电源管理电路、备份电源管理电路、三路压强信号采集电路、模数转换电路以及与伺服机构之间的对内RS422通讯电路、对内主份CAN1通讯电路、对内备份CAN2通讯电路。本发明具有非相似余度控制回路、通讯回路、驱动回路的电路,通过备份方案使得系统具有一度故障容错能力,从而提高了系统可靠性。
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