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公开(公告)号：CN119341333A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411614259.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京精密机电控制设备研究所
IPC: H02M1/088 , H02M1/00 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种串联SiC MOSFET的开关电路、实验平台系统和功率板，该开关电路包括：两个SiC MOSFET和Si IGBT，两个SiC MOSFET串联后与Si IGBT并联。采用闭环均压控制方案，克服串联MOS管间的关断电压不均，保障混合开关电压平衡。该开关在提升传统开关器件功率密度、效率、电压等级等特性的前提下，完成驱动方案，电路布局等方面的优化设计，实现功率器件在高频和高负载下工况下的性能优化。
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