公开(公告)号：CN119824369A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510034590.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  徐明杰 ,  张铮 ,  张先坤 ,  洪孟羽 ,  王玉南 ,  尚金森 ,  刘明蕊

IPC: C23C14/14 ,  H10D64/27 ,  H10D30/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  C23C14/30 ,  C23C14/28 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法，属于晶体管的构筑工艺技术领域。所述基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法包括以下步骤：在衬底上沉积易挥发性材料，得到易挥发性牺牲层；在所述易挥发性牺牲层表面沉积介电层材料，然后进行后处理，在衬底表面获得范德华接触的介电层。该方法利用易挥发性材料作为介电层材料生长的籽晶层和形成范德华间隙的牺牲层，避免了原位沉积对二维半导体材料造成的损伤以及直接沉积的介电层材料致密度不足、薄膜厚度不均匀问题，优化了晶体管器件的构筑工艺。该方法无需通过转移就可以实现原位沉积的介电层的范德华接触，与硅基晶体管构筑工艺兼容，有望应用于硅基制程中。

公开(公告)号：CN119742225A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411944219.7

申请日：2024-12-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  徐明杰 ,  张铮 ,  张先坤 ,  杨佳佳 ,  王玉南 ,  尚金森

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/683 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种基于可溶性牺牲层的图案化薄膜材料转移方法，属于晶体管的构筑工艺技术领域。本发明提供的方法操作简单，利用水溶液作为可溶性牺牲层的刻蚀溶液在将牺牲层刻蚀的同时保证不对最终所需的目标薄膜材料造成破坏，同时，可溶性牺牲层被刻蚀后承载有图案化薄膜材料的有机支撑层自动漂浮到水面，不需要引入额外的人为应力，转移成功率高。本发明可以通过沉积大面积均匀的可溶性牺牲层，为转移规模扩展提供有利的条件。除此之外，本发明配合低温的薄膜沉积方法，在兼顾大规模的同时还可以进行薄膜材料的图案化转移，解决了目前大规模转移图案化薄膜材料工艺成功率低、损伤严重以及无法同时满足大规模转移与图案化转移的问题。