一种用于高温离子注入的晶圆预加热装置

    公开(公告)号:CN117878013A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311809154.0

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明公开一种用于高温离子注入的晶圆预加热装置,包括真空腔室,真空腔室上部设有光纤传感器组件,真空腔室内部设有支撑块、石英手爪和升降组件,石英手爪与升降组件的输出端连接,真空腔室下部设有加热组件,支撑块位于加热组件上方;当光纤传感器组件检测到真空机械手带着晶圆伸入到真空腔室内部时,在升降组件的驱动下,石英手爪进行升降运动,并取走真空机械手上的晶圆,待真空机械手退出真空腔室后,石英手爪将晶圆传送到加热位置的支撑块上,加热组件通过发射光束以实现对晶圆的均匀加热。本发明具有结构紧凑、操作简单、温度均匀性高等优点,可快速均匀的将晶圆加热到高温注入工艺所要求的任意温度,且加热后的晶圆表面温度均匀性较高。

    一种半导体晶圆预冷装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119958223A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411954500.9

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆预冷装置,包括:真空腔室、冷却组件、升降组件和靶送气组件,所述真空腔室用于提供晶圆预冷所需的真空环境,所述冷却组件密封贯穿在真空腔室内,以用于承载待冷却的晶圆,且冷却组件与外部冷源连接,以实现晶圆预冷却;所述靶送气组件用于输送惰性气体至真空腔室内;所述升降组件密封贯穿在真空腔室内,以用于带动晶圆在传输机械手与冷却组件之间传送。本发明具有结构紧凑、稳定性高且冷却效果显著等特点,晶圆在传输到靶盘前,通过预冷装置将晶圆冷却到80%的工艺温度,然后传输到靶盘上冷却至工艺温度后掺杂,避免了因晶圆与靶台温差较大,而影响晶圆的离子注入效率和品质。

Patent Agency Ranking