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公开(公告)号：CN118507518B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D18/80
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN119560385B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
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公开(公告)号：CN119716441A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410773382.5
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种温度试验装置、温度试验设备和温度试验方法。所述温度试验装置包括：液体容器、入流管和出流管，其中，入流管的一端与液体容器的第一开口连接，入流管的另一端与至少一个第一控制阀连接，出流管与液体容器的第二开口连接；出流管的另一端与至少一个第二控制阀连接；液体容器的任一表面上设置待测功率器件；入流管和出流管，用于将外部液体循环导入和导出液体容器，为待测功率器件提供温度试验的环境温度。通过将待测功率器件与液体容器表面紧密接触，改变待测功率器件的温度，从而提高了温度冲击试验或寿命老化试验的准确度，同时提高了改变温度的效率。
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公开(公告)号：CN118738003A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410772567.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/488 , H01L21/603
Abstract: 本申请涉及一种晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法，该封装结构包括依次层叠的阴极金属片、晶圆、纳米材料膜和阳极金属片；纳米材料膜中包括至少一层过渡层；过渡层的材料为弹性材料。上述封装结构中，通过在纳米材料膜中设置具有弹性形变能力的过渡层，可以通过过渡层吸收晶圆翘曲变形应力，来释放翘曲变形应力，达到可以降低翘曲变形程度的效果，进而进一步降低器件热阻，提高器件长期可靠性，可以促进低温键合技术在整晶圆封装领域的应用。
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公开(公告)号：CN118737943A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410860369.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/603
Abstract: 一种用于晶圆键合的键合夹具及采用其的键合设备和方法，属于半导体器件技术领域。所述用于晶圆(102)键合的键合夹具(100)包括托盘(1)、限位块(2)、刚性垫块(3)和挡板(4)；通过所述键合夹具(100)实现对晶圆进行径向和竖向的定位。通过本发明的键合夹具(100)、键合设备(101)及使用键合设备(101)进行晶圆键合的方法，实现定位晶圆位置并保护晶圆终端不受压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118712140A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410740012.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种插拔连接结构、门极驱动板以及可关断晶闸管器件。插拔连接结构设置为电极弹性连接结构，插拔连接结构用于实现所述可关断晶闸管器件的管壳连接板与门极驱动板之间的连接；插拔连接结构包括彼此电极弹性连接的第一插拔端和第二插拔端。门极驱动板包括第二功能区和第二接口区，第二接口区设置有前述的第一插拔端或第二插拔端。可关断晶闸管器件包括管壳连接板和门极驱动板，管壳连接板和门极驱动板使用所述的插拔连接结构进行连接。本申请涉及半导体器件技术领域，能够有效改善门极驱动板与管壳连接板之间的连接结构形式，提高系统集成度和可靠性，降低维护成本和操作难度。
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公开(公告)号：CN118198117A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410175143.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/745 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用。所述抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，包括：将所述IGCT的阴极金属连接片替换成带有凸台结构的阴极金属连接片，或者在所述IGCT的阴极金属连接片上形成凸台结构；在所述凸台位置嵌入软磁磁环。本发明有效抑制了整晶圆封装的压接IGCT器件关断拖尾电流振荡，提高了器件应用系统的可靠性；本发明在现有的压接IGCT器件封装形式上改进完成，装配简单，所用软磁材料只在小电流情况下作用，不影响器件正常工作时的电气参数；所用软磁环可根据实际需求调整为一层或多层，灵活便捷。
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公开(公告)号：CN118737967A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410741451.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/12 , H01L23/48 , H01L29/745 , H01B17/56
Abstract: 本公开涉及一种门极绝缘座及其使用方法、门极组件、半导体器件。门极绝缘座包括：绝缘基座及辐条引导装配通道。绝缘基座包括底座以及设置于底座的顶面上的内壁和外壁。辐条引导装配通道包括辐条进入缺口、辐条旋合卡槽和旋转导向槽。辐条进入缺口自底座的底面向上且向外延伸。辐条旋合卡槽自外壁的顶面向下且向外延伸。辐条旋合卡槽和辐条进入缺口沿竖直方向的正投影具有间隔。旋转导向槽连通于辐条进入缺口和辐条旋合卡槽之间。本公开优化了门极绝缘座与门极引出辐条的结构配合，能够简化门极组件的组装流程，并有效提升门极组件的连接稳定性和可靠性，进而提升半导体器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN118522706A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410651682.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L29/74 , H01L29/43 , H01L29/66
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118507518A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/74
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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