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公开(公告)号：CN108169262B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201711384239.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/203 , G01N23/20058
Abstract: 本发明提供了一种快速标定金属晶面的方法，所述金属例如为铜箔，利用高温氧化后铜表面形成的氧化物的厚度与颜色的关系来判断晶面，不同晶面由于氧化速率不同，氧化物薄膜就会有不同的厚度，由此的衬度(颜色)则有不同的差别。不同晶面的区别在光学显微就下就可以明显地看到。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可区分出不同的晶面。
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公开(公告)号：CN108169262A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711384239.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/203 , G01N23/20058
Abstract: 本发明提供了一种快速标定金属晶面的方法，所述金属例如为铜箔，利用高温氧化后铜表面形成的氧化物的厚度与颜色的关系来判断晶面，不同晶面由于氧化速率不同，氧化物薄膜就会有不同的厚度，由此的衬度(颜色)则有不同的差别。不同晶面的区别在光学显微就下就可以明显地看到。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可区分出不同的晶面。
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公开(公告)号：CN111690983A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179992.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。
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公开(公告)号：CN111690982A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179967.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明首次提出一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法，所述方法包括如下步骤：S1，制备任意指数面的单晶铜箔；S2，选用所述单晶铜箔作为衬底，并在其上生长出高质量超大尺寸的单晶石墨烯。本发明首次在非Cu(111)、Cu(100)等常见晶面上生长大尺寸单晶石墨烯，在成功制备Cu(211)、Cu(323)、Cu(110)、Cu(236)、Cu(331)、Cu(256)、Cu(553)、Cu(659)、Cu(736)、Cu(748)、Cu(671)等晶面的单晶铜箔上均成功生长了连续的大尺寸的单晶石墨烯；在这些晶面上均长出了单层均匀且高质量的石墨烯。
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公开(公告)号：CN110295357A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810233438.2
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111155160B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010111665.5
申请日：2020-02-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种降低金属制品氧化速度的方法，所述方法包括如下步骤：(一)以待处理金属样品为阳极，以含弱酸水溶液为电解液，搭建电解池；(二)通电一段时间后，断电并将样品取出；(三)将样品清洗后擦干即得到所述金属制品。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，就可以降低金属制品的氧化速度，并可以保持金属制品的表面性质。
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公开(公告)号：CN111621846B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910144704.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。
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公开(公告)号：CN111155160A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010111665.5
申请日：2020-02-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种降低金属制品氧化速度的方法，所述方法包括如下步骤：(一)以待处理金属样品为阳极，以含弱酸水溶液为电解液，搭建电解池；(二)通电一段时间后，断电并将样品取出；(三)将样品清洗后擦干即得到所述金属制品。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，就可以降低金属制品的氧化速度，并可以保持金属制品的表面性质。
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公开(公告)号：CN120024893A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411204174.X
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/215
Abstract: 本申请涉及石墨技术领域，提供了一种石墨及其制备方法，制备方法包括：将固态碳源设置于碳扩散层的表面进行固态提纯，固态提纯包括：对表面设置有固态碳源的碳扩散层进行加热，固态碳源中碳原子扩散至碳扩散层内，并在碳扩散层与固态碳源相对的表面生长形成石墨碳源，且所述碳扩散层阻止所述固态碳源中的杂质原子扩散通过；将石墨碳源作为固态碳源，重复至少一次固态提纯的步骤，制备得到石墨。本申请制备方法简单，且石墨的纯度高。
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公开(公告)号：CN116623300A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310546574.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种去除电解铜箔单晶化过程中存在多晶区域的方法，属于金属材料技术领域；方法包括：施加压力使多晶电解铜箔和单晶铜箔或压延铜箔紧密贴合，后进行退火处理，以使所述多晶电解铜箔完全转变为单晶电解铜箔；通过施加压力使多晶电解铜箔和单晶铜箔或压延铜箔紧密贴合，再通过退火处理，可使得多晶电解铜箔完全转变为单晶电解铜箔，进而实现铜箔的性能提升。
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