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公开(公告)号：CN119556625A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411805204.2
申请日：2024-12-10
Applicant: 兰州大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及一种微弱信号多通道同步采集系统，实现了微弱信号的采集、处理、存储、传输功能，并通过交互通信接口将经处理后的数据传输到上位机。本发明所述的系统通过信号调理模块对来自传感器的微弱源数据进行预处理，信号调理模块中加入了数字信号处理模块DSP，使得信号调理电路具备了强大的数字处理和自适应调节能力，提升了性能的同时增加了更多灵活性和可扩展性。通过同步时钟管理，产生控制信号的进行控制，解决了多个采集通道的时钟同步问题，避免了通道之间的切换所带来的延时，提高了采集速度；通过数据跨时钟域传输管理保证了数据在不同模块之间传输的安全性。
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公开(公告)号：CN117993217A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410269625.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 兰州大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT器件模型的建模方法。所述建模方法为基于工作温度和栅极电压对所述GaN HEMT器件的电学特性影响的建模方法，所述GaN HEMT器件模型的电学部分由ASM原始模型构造；所述建模方法包括：构建GaN HEMT器件的迁移率随栅极电压和工作温度影响的模型，基于GaN HEMT器件迁移率随温度变化的特性，对所述ASM原始模型中的电学计算方程式进行优化，获取所述GaN HEMT器件随温度变化的输出特性、转移特性的模型。本发明基于迁移率计算改进了ASM模型，能准确预测GaN HEMT器件在不同温度下的电学性能，可以有效地帮助设计人员在不经过参数提取的前提下更精确地进行GaN HEMT器件不同栅压不同温度下的电学仿真，同时有效提高后续对ASM模型中迁移率相关参数提取的效率。
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公开(公告)号：CN115377265B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211083705.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L33/22 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。
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公开(公告)号：CN115543901A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211201196.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的高效率高精度软件无线电(SDK)射频信号质量优化算法及设备。本发明所述的设备包括信号发生器、AD/DAC、FPGA、示波器和上位机；本发明所述的算法基于上述设备，具体包括：首先通过高速接口GTX将两路射频余弦信号S1和S2输入；其次将其分别存入DDR3中；再从DDR3中读出作为相位解算算法模块的输入，从而求出两路信号的相位差，所述相位解算算法包括FFT算法、Cordic算法；将相位差和待校准信号S1输入到相位校准模块中，从而得到与S2同频同相的QPSK_Singal，所述相位校准算法主要为QPSK算法；最后通过高速接口GTX输出QPSK_Singal和S2。
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公开(公告)号：CN116577340B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310608691.2
申请日：2023-05-28
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法，首先将碳化硅样品清洗并腐蚀，完成腐蚀的样品再次清洗后置于光学显微镜的暗场模式下观测，通过贯穿螺型位错和贯穿刃型位错腐蚀坑呈现的不同光学状态来对其进行区分，得出如下结果：所述光学显微镜100x放大倍数以内，正六边形暗色腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错；所述光学显微镜200x放大倍数以上，正六边形且中心暗边缘亮的腐蚀坑为贯穿螺型位错，正六边形亮色腐蚀坑为贯穿刃型位错。所述方法不(56)对比文件Jason Paul Hadorn 等.Directevaluation of threading dislocations in4H-SiC through large-angle convergentbeam electron diffraction《.PhilosophicalMagazine》.2019,1-23.苗瑞霞;张玉明;汤晓燕;张义门.SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究.光谱学与光谱分析.2010,(03),702-705.张璇;宋德林;张涛;刘乾;耿鹏武.光学表面微缺陷的高对比度暗场成像检测方法.机电技术.2019,(01),86-87,108.苗瑞霞;张玉明;汤晓燕;张义门.4H-SiC中基面位错发光特性研究.物理学报.2011,(03),037808-1-4.杨莺;陈治明.湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌.人工晶体学报.2008,(03),634-638.郭常霖.α―SiC晶体中的位错.物理学报.1982,(11),1511-1525.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114965468B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210510883.5
申请日：2022-05-11
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请涉及一种区分4H‑碳化硅表面的方法，所述方法首先对需要辨别的4H‑碳化硅(4H‑SiC)样品的两个表面分别标记为A面和B面；然后将4H‑SiC样品进行以KOH为主腐蚀剂的湿法腐蚀过程；再对腐蚀后4H‑SiC样品进行盐酸酸洗；最后用光学显微镜观察4H‑SiC的AB面，根据其各向同性或各向异性的腐蚀行为来确定该表面自由能的大小，从而判定出具有各向异性腐蚀行为的高表面自由能的表面为4H‑SiC样品的Si面，而具有各向同性腐蚀行为的低表面自由能的表面为4H‑SiC样品的C面。本方法对于检测样品的要求低，且无论待测样品是否完好，是否具有缺陷，腐蚀过程中的腐蚀温度和腐蚀时间均较短，结果均可靠；而且采用光学显微镜进行观测，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN112907714B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110247464.2
申请日：2021-03-05
Applicant: 兰州大学
Abstract: 发明涉及一种基于Census变换和灰度绝对差的混合匹配双目视觉系统，所述系统包括相互之间电性连接的双目图像数据采集模块、FPGA图像数据处理模块和视差图输出显示模块；所述FPGA图像数据处理模块包括图像矫正、图像预处理、图像变换以及双目匹配过程；利用双目匹配的相似性检测函数记录最小值所对应的像素点，即为最佳匹配点，通过视差图输出显示模块输入显示。本发明的双目视觉系统采用的算法不仅大大减少了计算量，有效排除了光照、噪声等环境因素的影响；而且在基于传统Census变换的基础上，通过判断是否为物体边缘，来进行自适应窗口大小的Census变换，大大增加了匹配的准确性。
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公开(公告)号：CN115377265A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211083705.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L33/22 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。
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公开(公告)号：CN119625087A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411241035.4
申请日：2024-09-05
Applicant: 兰州大学
IPC: G06T9/00 , H04N19/91 , H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/436 , H04N19/102 , H03M7/40
Abstract: 本发明涉及一种JBIG算术编码和解码方法和系统，所述方法是基于QM编码器、解码器的体系结构实现，所述QM编码器包括自适应编码模块和编码单元，所述解码器包括自适应解码模块和解码单元；所述方法包括：步骤1)生成上下文CX、步骤2)JBIG算术编码过程和步骤3)JBIG算术解码过程。本发明的JBIG算术编码和解码方法和系统，提高了引擎的吞吐量，解决流水线中数据依赖冲突的问题，能够以接近每时钟周期1个像素的速率处理图像，处理速度快，性能可提高约40％，提高了图像压缩和处理的效率，兼容性强，能够与其他JBIG兼容的设备进行交互和通信。
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公开(公告)号：CN118174550A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410383714.9
申请日：2024-04-01
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有耐高压、输出反馈特性的碳化硅Buck电路，包括：第一比较器、脉冲宽度调制模块、输出反馈模块和斩波降压模块；通过控制所述碳化硅NMOS管的开通时长在整个开通关断周期中所占的比值，即占空比D的大小，实现斩波降压；其中，Vi＝V0*D。本发明考虑到实际工作中电路中出现的寄生电感电容效应，并最终成功实现了在使用碳化硅NMOS管器件和碳化硅SBD工作的Buck电路的降压功能，通过用碳化硅NMOS管和碳化硅SBD器件代替传统的硅器件可以使阻抗更低，提高转换效率；并且碳化硅器件的工作频率更高，而且效率不随着频率的升高而降低，因此可以降低能量损耗，且能在更高温度的工作环境下运行。
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