公开(公告)号：CN1296529C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN01805741.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林武史 ,  森达生 ,  布施川泉 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。

公开(公告)号：CN1689148A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823816.0

申请日：2003-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博 ,  樱田昌弘 ,  小林武史

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3225

Abstract: 本发明提供一种退火晶片及其制造方法，涉及一种对由用切克劳斯基法生长的硅单晶制作的硅晶片实施了热处理的退火晶片，其特征是，从晶片表面到至少深5μm的区域的氧化膜耐压特性的良品率在95％以上，并且在投入器件工序前的阶段，能在晶片内部检测出的、具有吸收能力的尺寸以上的氧析出物的密度为1×109/cm3以上。根据本发明，其器件制作区即晶片表层的氧化膜耐压特性优良，并且在体层上，在投入器件工序前的阶段高密度存在氧析出物，从而具有优良的IG能力。

公开(公告)号：CN1406292A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN01805741.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林武史 ,  森达生 ,  布施川泉 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。

公开(公告)号：CN108604539B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201780005034.1

申请日：2017-01-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林武史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

Abstract: 气相生长装置（1）包括基座（3）；升降销（5）和支承环（6）。基座（3）具有贯穿表面与背面的通孔（3b），能够围绕轴线（O）而旋转。升降销（5）插入通孔（3b）中。支承环（6）包括环部（6a）和板状部件（6b），在环部（6a）和板状部件（6b）之间，夹持并保持升降销（5）。环部（6a）位于轴线（O）周围。板状部件（6b）包括与环部（6a）连接的连接部（6b1），从连接部（6b1）沿环部（6a）延伸，并以连接部（6b1）为基点，施加朝向环部（6a）的力。由此，提供具有通过维持与升降销的位置关系能够保持升降销的保持部件的外延生长装置及其保持部件。

公开(公告)号：CN111033707B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201880053033.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林诚 ,  小林武史 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/24 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。

公开(公告)号：CN111033707A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880053033.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林诚 ,  小林武史 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/24 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。

公开(公告)号：CN108604539A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780005034.1

申请日：2017-01-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林武史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

Abstract: 气相生长装置（1）包括基座（3）；升降销（5）和支承环（6）。基座（3）具有贯穿表面与背面的通孔（3b），能够围绕轴线（O）而旋转。升降销（5）插入通孔（3b）中。支承环（6）包括环部（6a）和板状部件（6b），在环部（6a）和板状部件（6b）之间，夹持并保持升降销（5）。环部（6a）位于轴线（O）周围。板状部件（6b）包括与环部（6a）连接的连接部（6b1），从连接部（6b1）沿环部（6a）延伸，并以连接部（6b1）为基点，施加朝向环部（6a）的力。由此，提供具有通过维持与升降销的位置关系能够保持升降销的保持部件的外延生长装置及其保持部件。

公开(公告)号：CN100342503C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03823816.0

申请日：2003-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博 ,  樱田昌弘 ,  小林武史

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3225

Abstract: 本发明提供一种退火晶片及其制造方法，涉及一种对由用切克劳斯基法生长的硅单晶制作的硅晶片实施了热处理的退火晶片，其特征是，从晶片表面到至少深5μm的区域的氧化膜耐压特性的良品率在95%以上，并且在投入器件工序前的阶段，能在晶片内部检测出的、具有吸收能力的尺寸以上的氧析出物的密度为1×109/cm3以上。根据本发明，其器件制作区即晶片表层的氧化膜耐压特性优良，并且在体层上，在投入器件工序前的阶段高密度存在氧析出物，从而具有优良的IG能力。