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公开(公告)号：CN118642329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410280006.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其特征为具备：涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，加热步骤，将前述已涂布的基板于氧浓度未达1体积％的环境中，以450℃以上且800℃以下的温度进行加热；其是使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)、及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#[化3]#imgabs2#
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公开(公告)号：CN118307578A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410010810.9
申请日：2024-01-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为:前述化合物是含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、以及配位于前述金属原子的配位子的金属化合物，前述配位子含有下列通式(W‑1)表示的交联基团。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119105234A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410733204.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供一种含金属的膜形成用组成物，给予能获得良好的图案形状而且能抑制微细图案的崩塌的含金属的膜。一种含金属的膜形成用组成物，其特征为：含有(A)金属化合物、(B)表面改质剂、及(C)溶剂，金属化合物含有选自由Ti、Zr及Hf构成的群组中的至少1种金属原子，(B)表面改质剂为含有下列通式(1)表示的重复单元及下列通式(2)表示的重复单元中的一者或两者的高分子化合物，高分子化合物不含含有羟基的重复单元。[化1]#imgabs0#式中，R1为氢原子或甲基，R2为含有杂环结构的碳数2～20的1价有机基团，R3为氢原子或碳数1～3的直链或分支状的烷基。
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公开(公告)号：CN118005930A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311472003.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述化合物以下列通式(A)表示。[化1]#imgabs0#。
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公开(公告)号：CN119101081A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410713945.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、含金属的膜形成用化合物的制造方法、及图案形成方法。本发明提供对比已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋特性及/或高程度的平坦化特性的含金属的膜形成用化合物。一种含金属的膜形成用化合物，是(A)含金属的膜形成用化合物，是来自将式(A‑1)表示的金属化合物予以水解或缩合、或水解缩合而获得的含金属的化合物的化合物，更带有来自下式(1)表示的有机化合物的配位子。M(OR1A)4 (A‑1)，R2ACOXCOOH (1)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118239972A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311749455.9
申请日：2023-12-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用该组成物于抗蚀剂材料的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为：前述化合物是含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、及配位于前述金属原子的配位子的金属化合物，前述配位子含有下列通式(1)表示的有机基团RA。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119528853A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411179162.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D303/32 , C07D305/06 , C07D309/06 , C07C31/20 , C07C59/347 , C07C63/64 , C07C65/03 , C07F7/08 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题是，以提供在半导体装置制造步骤中的微细图案化流程中，可获得良好的图案形状，且给予具有与抗蚀剂上层膜的高密接性且抑制微细图案的崩塌的抗蚀剂中间膜的含金属的形成用化合物、使用了该化合物的含金属的形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法为目的。本发明的解决手段是，一种含金属的膜形成用化合物，其特征在于，该含金属的膜形成用化合物具有选自于由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种的金属原子、及配位于该金属原子的含有碳数2～13的环状醚结构的多齿配位子。
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公开(公告)号：CN119285667A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410906713.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、图案形成方法、及含金属的膜形成用化合物的制造方法。本发明提供给予在半导体装置制造步骤的微细图案化处理中，可获得良好的图案形状且和抗蚀剂上层膜有高密合性并会抑制微细图案崩塌的含金属的膜的含金属的膜形成用化合物、使用该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，其特征为：前述含金属的膜形成用化合物含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、及配位在前述金属原子的配位基，前述配位基含有(a‑1)至(a‑3)表示的基团中的任意者。#imgabs0#R1为氢原子或碳数1～10的有机基团，＊表示键结部。
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公开(公告)号：CN117363058A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310824185.7
申请日：2023-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明提供具有优良涂布性且兼顾高程度填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用其的图案形成方法及金属氧化膜形成方法。一种金属氧化膜形成用组成物，包含(A)有机‑无机复合材料及(B)溶剂，其特征为：前述(A)有机‑无机复合材料是金属源(I)与有机源(II)的反应产物，前述金属源(I)含有选自下列通式(I‑1)表示的金属化合物、通式(I‑1)表示的金属化合物的水解物、及通式(I‑1)表示的金属化合物的水解缩合物中的1种以上的化合物，前述有机源(II)含有具有下列通式(II‑1)表示的构成单元及卡多(cardo)结构的化合物。
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公开(公告)号：CN119781245A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411366443.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用组成物、图案形成方法。本发明的课题是提供相对于以往的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性、且兼具高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用组成物、及使用了该组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种含金属的膜形成用组成物，含有：(A)含有选自于由Ti、Zr、Hf构成的群组中的至少1种的金属的金属化合物、(B)于分子内包含2个以上4个以下的碳数2～13的环状醚结构的交联剂、及(C)溶剂。
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