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公开(公告)号：CN119528966A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411172562.4
申请日：2024-08-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/22 , G03F1/80 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优异的干式蚀刻耐性，且兼具高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物；使用该化合物的含金属的膜形成用组成物；将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料中的图案形成方法。本发明的解决手段为一种含金属的膜形成用化合物，是分子内具有2个以上的二醇结构的化合物与Sn化合物的反应产物，其特征为：是一分子内包含2个以上的Sn原子的单分子型化合物。
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公开(公告)号：CN119270583A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410876412.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供对比已知的有机下层膜材料能形成显示极优良的干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组成物。一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有具有下列通式(1)表示的结构作为重复单元的(A)聚合物、及(B)有机溶剂，前述(A)聚合物的分子量为300～3,000，前述(A)聚合物不含含有羟基作为取代基的重复单元也不含含有杂芳香环的重复单元。#imgabs0#上式(1)中，Ar为非取代的碳数6～30的2价芳香族基团。
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公开(公告)号：CN113433796B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110308097.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物。本发明的课题为提供不仅在空气中的成膜条件下会硬化而且即便在钝性气体中的成膜条件下也会硬化，并可形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优异而且对于基板的密接性良好的有机膜的有机膜形成用化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料，提供使用了该材料的基板、有机膜形成方法及图案形成方法。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，其含有(A)式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，W1为4价有机基团，n1表示0或1的整数，n2表示1至3的整数，R1表示碳数2～10的炔基。
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公开(公告)号：CN119105234A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410733204.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供一种含金属的膜形成用组成物，给予能获得良好的图案形状而且能抑制微细图案的崩塌的含金属的膜。一种含金属的膜形成用组成物，其特征为：含有(A)金属化合物、(B)表面改质剂、及(C)溶剂，金属化合物含有选自由Ti、Zr及Hf构成的群组中的至少1种金属原子，(B)表面改质剂为含有下列通式(1)表示的重复单元及下列通式(2)表示的重复单元中的一者或两者的高分子化合物，高分子化合物不含含有羟基的重复单元。[化1]#imgabs0#式中，R1为氢原子或甲基，R2为含有杂环结构的碳数2～20的1价有机基团，R3为氢原子或碳数1～3的直链或分支状的烷基。
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公开(公告)号：CN114545733B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111402884.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式(2)及(3)表示的末端基团结构，令下列通式(2)、(3)的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。#imgabs1#Z为碳数6～20的(k+1)价芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#L为单键或‑(CH2)r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118818898A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410472528.2
申请日：2024-04-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供有机膜形成用组合物、有机膜形成方法和图案形成方法。[课题]提供基板(晶圆)上的成膜性(面内均匀性)和填埋特性优异且抑制了EBR工序时的隆起的有机膜形成用组合物、使用了该组合物的有机膜形成方法和图案形成方法。[解决手段]一种有机膜形成用组合物，其特征在于，其包含有机膜形成用树脂、聚合物和溶剂，所述聚合物包含下述通式(I)所示的结构单元，且包含下述通式(II)所示的结构单元和下述通式(III)所示的结构单元之中的至少一者，前述下述通式(I)所示的结构单元与下述通式(II)所示的结构单元和下述通式(III)所示的结构单元之中的至少一者形成无规共聚物，前述聚合物的氟含有率为5质量％～16质量％。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112034681B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010490327.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良，成为散逸气体的升华物成分少，并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#该通式(1A)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环，W1为下列通式(1B)中的任意者，也可组合使用2种以上的W1；W2为碳数1～80的2价有机基团；#imgabs1#该通式(1B)中的R1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，R2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN118221949A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311749844.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G79/12 , C09D185/00 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用聚合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供具有优异的干蚀刻耐性，且兼具高程度填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用聚合物、使用了该聚合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法。本发明为一种含金属的膜形成用聚合物，其特征在于：前述聚合物具有下列通式(1A)表示的重复单元，[化1]#imgabs0#式中，W1为碳数1～31的2价有机基团，Q表示选自由碳数1～20的烷基、碳数3～20的环烷基、含有1个以上的双键或三键的碳数2～20的脂肪族不饱和有机基团、碳数6～30的芳基、碳数7～31的芳烷基构成的群组中的基团。
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公开(公告)号：CN118005930A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311472003.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述化合物以下列通式(A)表示。[化1]#imgabs0#。
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公开(公告)号：CN117215155A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310673371.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，在半导体装置制造步骤的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，即使在具有宽广的沟渠结构等特别难平坦化的部分的被加工基板上，仍能形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜且进一步给予具有适当蚀刻特性的抗蚀剂下层膜，并提供使用了前述材料的图案形成方法及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，其特征为包含(A)含有苯酚性羟基的化合物或树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂。
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