公开(公告)号：CN118005019A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311388769.0

申请日：2023-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉田敦 ,  星野成大 ,  石田昌彦 ,  青山武 ,  山岸成俊 ,  金子良夫

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明的一种多晶硅棒的直径为120mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为100％以下。本发明的另一种多晶硅棒的直径为140mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为150％以下。

公开(公告)号：CN116497439A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310025913.8

申请日：2023-01-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  山岸成俊 ,  吉田敦 ,  石田昌彦

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  G01N33/00 ,  G01N21/3563 ,  G01N27/626 ,  G01N21/63 ,  G01N1/28 ,  G06Q10/0639

Abstract: 本发明的质量评价方法包含：生成评价用硅的工序,在反应器20内生长多晶硅的同时,生长从芯线9沿径向延伸的单晶硅；以及使用所述单晶硅进行评价的工序。