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公开(公告)号：CN104081534A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280056855.5
申请日：2012-12-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/054 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , H01L31/022466 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供与Si层的接触性优异且光限制效应也优异的、可用作太阳能电池的表面电极的透明导电膜层叠体及其制造方法，以及薄膜太阳能电池及其制造方法。将在透光性基板(1)上形成的氧化铟系透明导电膜(I)(21)作为基底，在其上依次形成凹凸性优异的氧化锌系透明导电膜(II)(22)和具有高功函数的透明导电膜(III)(23)，从而形成三层层叠结构。
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公开(公告)号：CN1166229A
公开(公告)日：1997-11-26
申请号：CN96191212.X
申请日：1996-10-08
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01F1/15391 , G01R33/02 , H01F1/0304
Abstract: 本发明提供一种磁性传感器和应用该磁性传感器的无定形磁性体，上述磁性传感器具有其磁性体的磁场检测有效长度Leff与无定形磁性体的焊接状态无关地变为恒定的磁场检测部分。无定形磁性体1已在两端表面的2个部位上形成了被覆非磁性的导体材料而构成的电极7，规定了磁场检测有效长度Leff。在磁性传感器100的磁场检测部分10中，应用了由非磁性的导体电极规定磁场检测有效长度Leff的无定形磁性体1。无定形磁性体1的电极间隔Lco，采用被覆非磁性的导体材料的办法，可以形成约数μm的精度，而且可以以数μm左右的精度规定无定形磁性体级1的磁场检测有效长度Leff。结果是提高了磁传感器的测定精度而不受焊锡2的影响。
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公开(公告)号：CN104781445A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380058211.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022475 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01L31/022483 , H01L31/02366 , H01L31/1884 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供在制造高效率的硅系薄膜太阳能电池时作为表面电极有用的、具有光散射性优异的凹凸结构、光限制效应也优异的透明导电膜层叠体及其制造方法、以及使用了该透明导电膜层叠体的薄膜太阳能电池及其制造方法。透明导电膜层叠体具有如下结构并且其表面为凹部以及凸部混合存在的晶体组织，表面粗糙度(Ra)为30nm以上且雾度率为8％以上、并且电阻值为30Ω/□以下，所述结构具备膜厚为10nm以上且300nm以下的氧化铟系透明导电膜(I)、以及膜厚为200nm以上的氧化锌系透明导电膜(II)。
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公开(公告)号：CN103081028A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041906.2
申请日：2011-08-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022483 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01L31/02366 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24355 , Y10T428/24967
Abstract: 本发明提供一种低电阻且高透过性的透明导电膜层叠体及其制造方法、以及薄膜太阳能电池及其制造方法。在透明导电膜（I）上层叠有透明导电膜（II）的透明导电膜层叠体中，透明导电膜（I）含有选自于铝和镓中的一种以上的添加元素，且添加元素的含量在以―2.18×[Al]＋1.74≤[Ga]≤―1.92×[Al]＋6.10表示的范围内。透明导电膜（II）含有选自于铝和镓中的一种以上的添加元素，并且添加元素的含量在以―[Al]＋0.30≤[Ga]≤―2.68×[Al]＋1.74表示的范围内。其中，[Al]是以Al/(Zn＋Al)的原子数比（%）表示的铝含量，另一方面，[Ga]是以Ga/(Zn＋Ga)的原子数比（%）表示的镓含量。
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公开(公告)号：CN102298986B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110186615.4
申请日：2011-06-28
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/077 , H01L31/18 , B32B3/30 , B32B9/04 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C03C17/3618 , C03C17/3636 , C03C17/3644 , C03C17/3655 , C03C17/3678 , C03C2217/77 , C03C2217/94 , C03C2217/944 , C03C2217/948 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/056 , H01L31/077 , H01L31/1884 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供光电转换效率高的带有表面电极的透明导电基板及制造方法、薄膜太阳能电池及制造方法。通过形成氧化铟类的非晶体透明导电膜作为基底膜(21)，在其上形成氧化锌类的晶体透明导电膜，形成由良好的凹凸结构构成的表面电极(2)。结果能够提供光封闭效果更高的表面电极(2)，得到光电转换效率更高的薄膜太阳能电池(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103796970B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280044506.1
申请日：2012-07-03
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C30B1/02 , H01J37/3426
Abstract: 本发明提供一种在用于溅射靶时能抑制异常放电等、在用于蒸镀用料片时能抑制飞溅现象的Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法等。该Zn-Si-O系氧化物烧结体是以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，Si含量以Si/(Zn+Si)原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，且不含有SiO2相和作为硅酸锌（Zn2SiO4）的尖晶石型复合氧化物相。上述烧结体的制造方法的特征在于，在对从作为原料粉末的ZnO粉末和SiO2粉末得到的造粒粉进行成型并对所得到的成型体进行烧成而制造上述烧结体时，包括：在700～900℃的温度范围内以5℃/分钟以上的升温速度升温的工序；以及，在烧成炉内以900℃～1400℃对成型体进行烧成的工序。
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公开(公告)号：CN107615494B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201680032568.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明的课题是提供一种光电转换元件，其是使用工业上有价值的在线式溅射法来使其具有的透明电极能发挥含钛的氧化铟膜具有的直至近红外区的透过率较高且导电性优良的特性。本发明的解決方法是通过在线式溅射法将由氧化铟或以氧化铟为主成分且以Sn/(In+Sn)的原子数比计含有19原子％以下比例的锡的含锡的氧化铟构成的第一氧化物透明导电膜(8)形成在光电转换层(7)侧，并在第一氧化物透明导电膜(8)上将由以氧化铟为主成分且以Ti/(In+Ti)的原子数比计含有0.5原子％～3.5原子％比例的钛的含钛的氧化铟构成的第二氧化物透明导电膜(9)形成在与光电转换层(7)不同的侧。将具有第一氧化物透明导电膜(8)和第二氧化物透明导电膜(9)的本发明的氧化物透明导电层积膜(10)作为光电转换元件的透明电极(12)发挥功能。
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公开(公告)号：CN107615494A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680032568.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明的课题是提供一种光电转换元件，其是使用工业上有价值的在线式溅射法来使其具有的透明电极能发挥含钛的氧化铟膜具有的直至近红外区的透过率较高且导电性优良的特性。本发明的解決方法是通过在线式溅射法将由氧化铟或以氧化铟为主成分且以Sn/(In+Sn)的原子数比计含有19原子％以下比例的锡的含锡的氧化铟构成的第一氧化物透明导电膜(8)形成在光电转换层(7)侧，并在第一氧化物透明导电膜(8)上将由以氧化铟为主成分且以Ti/(In+Ti)的原子数比计含有0.5原子％～3.5原子％比例的钛的含钛的氧化铟构成的第二氧化物透明导电膜(9)形成在与光电转换层(7)不同的侧。将具有第一氧化物透明导电膜(8)和第二氧化物透明导电膜(9)的本发明的氧化物透明导电层积膜(10)作为光电转换元件的透明电极(12)发挥功能。
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公开(公告)号：CN103081028B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180041906.2
申请日：2011-08-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/022483 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01L31/02366 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24355 , Y10T428/24967
Abstract: 本发明提供一种低电阻且高透过性的透明导电膜层叠体及其制造方法、以及薄膜太阳能电池及其制造方法。在透明导电膜（I）上层叠有透明导电膜（II）的透明导电膜层叠体中，透明导电膜（I）含有选自于铝和镓中的一种以上的添加元素，且添加元素的含量在以―2.18×[Al]＋1.74≤[Ga]≤―1.92×[Al]＋6.10表示的范围内。透明导电膜（II）含有选自于铝和镓中的一种以上的添加元素，并且添加元素的含量在以―[Al]＋0.30≤[Ga]≤―2.68×[Al]＋1.74表示的范围内。其中，[Al]是以Al/(Zn＋Al)的原子数比（%）表示的铝含量，另一方面，[Ga]是以Ga/(Zn＋Ga)的原子数比（%）表示的镓含量。
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公开(公告)号：CN103069045A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041008.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/086 , H01L31/03765 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内制造优良的透明导电膜、使高效薄膜太阳能电池的生产效率得到提高的透明导电膜的制造方法以及薄膜太阳能电池的制造方法。在作为溅射气体种类采用Ar和H2的混合气体并且混合气体的摩尔比为H2/(Ar＋H2)＝0.01～0.43、溅射气压为2.0～15.0Pa、基板温度为300～600℃的条件下，使用以氧化锌作为主要成分的氧化物烧结体靶，在透光性基板（1）上形成透明导电膜（2）。并且，将非晶质光电转换单元（3）、背面电极（5）依次形成于透明导电膜（2）上。
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