公开(公告)号：CN101432806A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015301.X

申请日：2007-02-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 须惠敏幸 ,  中原正博 ,  源通拓哉

IPC: G11B5/60 ,  G11B5/39 ,  C04B35/10 ,  G11B21/21 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3173 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/488 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/58007 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3169 ,  G11B5/6064 ,  G11B5/6082

Abstract: 本发明是有关由包含有质量比在35％以上，60％以下的氧化铝、质量比40％以上，65％以下的导电性化合物的烧结体所构成磁头用基板。导电性化合物，包含有钨的炭化物、氮化物以及炭氮化物中选择的至少一种。前述烧结体的最大结晶粒径在4μm以下(0μm除外)。本发明还提供具备前述磁头用基板所形成的滑动器的磁头，以及具备该磁头的记录媒体驱动装置。

公开(公告)号：CN102197007A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142741.0

申请日：2009-10-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 户田甫 ,  须惠敏幸

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P7/10 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4686 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/761 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷，其含有钇、锰及铝，在将组成式表示为αBaO·βNd2O3·γTiO2时，摩尔比α、β、γ满足14≤α≤21、4≤β≤21、65≤γ≤75。需要说明的是，该情况下，式α+β+γ＝100成立。

公开(公告)号：CN101535213B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200780041510.1

申请日：2007-11-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中泽秀司 ,  王雨丛 ,  秋山雅英 ,  源通拓哉 ,  须惠敏幸

IPC: G11B5/60 ,  G11B21/21 ,  C04B35/10 ,  C04B35/565

CPC classification number: G11B5/58 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6082 ,  Y10T428/1157

Abstract: 悬浮量为10nm以下的范围时，使悬浮面的表面平滑性受到重视，为了得到此悬浮面，必须使用平均粒径0.1μm以下的小的金刚石磨粒进行研磨，因此现有的陶瓷烧结体机械加工性差，由该陶瓷烧结体制作的磁头不能对应10nm以下的悬浮量。一种具有Al2O3晶粒、存在于该Al2O3晶粒的内部的内部TiC晶粒、和所述内部TiC晶粒以外的外部TiC晶粒的陶瓷烧结体。在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒中，烧结后会分别留有因热膨胀系数的差异而引起的应力，从而在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒的界面成为互相牵拉的状态，若实施机械加工，则除了该机械加工造成的剪切力以外，再加上残留应力，在界面发生的微裂纹很容易扩展，因此机械加工性良好。

公开(公告)号：CN101535213A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041510.1

申请日：2007-11-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中泽秀司 ,  王雨丛 ,  秋山雅英 ,  源通拓哉 ,  须惠敏幸

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/565 ,  G11B5/60 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/58 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6082 ,  Y10T428/1157

Abstract: 悬浮量为10nm以下的范围时，使悬浮面的表面平滑性受到重视，为了得到此悬浮面，必须使用平均粒径0.1μm以下的小的金刚石磨粒进行研磨，因此现有的陶瓷烧结体机械加工性差，由该陶瓷烧结体制作的磁头不能对应10nm以下的悬浮量。一种具有Al2O3晶粒、存在于该Al2O3晶粒的内部的内部TiC晶粒、和所述内部TiC晶粒以外的外部TiC晶粒的陶瓷烧结体。在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒中，烧结后会分别留有因热膨胀系数的差异而引起的应力，从而在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒的界面成为互相牵拉的状态，若实施机械加工，则除了该机械加工造成的剪切力以外，再加上残留应力，在界面发生的微裂纹很容易扩展，因此机械加工性良好。

公开(公告)号：CN103180262A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180050843.7

申请日：2011-10-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 饭田修一 ,  福饭明雄 ,  须惠敏幸

IPC: C04B35/195 ,  H01L21/683

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/195 ,  C04B35/505 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9661

Abstract: 本发明提供热膨胀系数小、机械强度优异的堇青石质陶瓷及使用其的半导体制造装置用部件。所述堇青石质陶瓷中，相对于具有以氧化物换算量计含有Mg12.6质量％以上且14.0质量％以下、以氧化物换算量计含有Al33.4质量％以上且34.4质量％以下、及以氧化物换算量计含有Si52.0质量％以上且53.6质量％以下的组成范围的主成分100质量％，含有换算成氧化物时为4.5质量％以上且15.0质量％以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一种作为副成分，并且堇青石、二硅酸盐及尖晶石作为晶相存在。该堇青石质陶瓷的热膨胀系数在±120ppb/℃的范围内，四点弯曲强度为170MPa以上，具有低热膨胀性及优异的机械强度。

公开(公告)号：CN103038190A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180036980.5

申请日：2011-07-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 平原诚一郎 ,  户田甫 ,  须惠敏幸 ,  森悠

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L41/09 ,  C01G23/002 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4686 ,  C04B35/478 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明的目的在于获得高相对介电常数、高Qf值、温度依赖性τf接近0ppm/℃的稳定的电介质瓷器以及使用其的电介质滤波器。本发明提供一种电介质瓷器，其由含有Ba、Nd以及Ti的主结晶相和余部构成，上述主结晶相中的部分Ti被Al置换且上述主结晶相所含的Al含量相对于上述主结晶相及上述余部所含的Al含量的总量以Al2O3换算为10％以上，从而能够获得高相对介电常数、高Qf值、温度依赖性τf接近0ppm/℃的稳定的电介质瓷器。此外，通过具备该电介质瓷器，可以成为能够稳定地获得期望的相对介电常数且获得高Qf值、即使在气温差变化剧烈的场所也能长期稳定地维持良好的性能的电介质滤波器。