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公开(公告)号:CN103038190A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201180036980.5
申请日:2011-07-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01L41/09 , C01G23/002 , C04B35/462 , C04B35/4686 , C04B35/478 , C04B35/62675 , C04B35/63416 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , H01B3/12 , H01G4/1227
Abstract: 本发明的目的在于获得高相对介电常数、高Qf值、温度依赖性τf接近0ppm/℃的稳定的电介质瓷器以及使用其的电介质滤波器。本发明提供一种电介质瓷器,其由含有Ba、Nd以及Ti的主结晶相和余部构成,上述主结晶相中的部分Ti被Al置换且上述主结晶相所含的Al含量相对于上述主结晶相及上述余部所含的Al含量的总量以Al2O3换算为10%以上,从而能够获得高相对介电常数、高Qf值、温度依赖性τf接近0ppm/℃的稳定的电介质瓷器。此外,通过具备该电介质瓷器,可以成为能够稳定地获得期望的相对介电常数且获得高Qf值、即使在气温差变化剧烈的场所也能长期稳定地维持良好的性能的电介质滤波器。