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公开(公告)号：CN107241078B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201610574379.6
申请日：2016-07-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本发明涉及晶体元件和晶体器件，提供能够降低由于从被激励电极部夹住的晶体片的一部分传播的振动在凸部的侧面反射而发生的电特性变化的晶体元件和晶体器件。晶体元件包括：台面形状的晶体片，具备具有第一凸部与第二凸部的振动部，俯视时大致为矩形形状；激励电极部，设置于振动部的两个主面；引出部，沿着晶体片的规定的一边排列设置；和配线部，对激励电极部与引出部进行连接，第一凸部和第二凸部具有倾斜的侧面，第一凸部的位于+X侧的侧面与第二凸部的位于+X侧的侧面重叠，第一凸部的位于‑X侧的侧面与第二凸部的位于‑X侧的侧面重叠。
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公开(公告)号：CN109314501B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780033397.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 振动元件具有晶体片、一对激发电极和一对焊盘。晶体片具有一对主面、以及将一对主面的外缘彼此连结且至少一部分由晶面构成的侧面。再有，晶体片具有台面部、和在一对主面的俯视下包围台面部且一对主面间的厚度比台面部薄的外周部。一对激发电极在台面部分别位于一对主面。一对焊盘在外周部位于一对主面的一方，并与一对激发电极电连接。晶体片在一对主面之中的与晶面相接的缘部的至少一部分，具有以台面部距离外周部的高度以下的高度从外周部突出的至少一个凸部。
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公开(公告)号：CN107210724B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201680009495.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 宫崎史朗
Abstract: 本发明的石英振子(10)具备：石英片(11)，进行厚度切变振动；一对激励电极(12)，形成在所述石英片(11)的两面(11a、11b)；以及一对引出电极(13)，分别从所述激励电极(12)引出，所述石英片(11)具有具备被所述激励电极(12)被覆的多个丘陵部(15)的区域。通过丘陵部(15)，能够提高与激励电极(12)的密接性，能够提供一种可靠性高的石英振子(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107241078A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201610574379.6
申请日：2016-07-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本发明涉及晶体元件和晶体器件，提供能够降低由于从被激励电极部夹住的晶体片的一部分传播的振动在凸部的侧面反射而发生的电特性变化的晶体元件和晶体器件。晶体元件包括：台面形状的晶体片，具备具有第一凸部与第二凸部的振动部，俯视时大致为矩形形状；激励电极部，设置于振动部的两个主面；引出部，沿着晶体片的规定的一边排列设置；和配线部，对激励电极部与引出部进行连接，第一凸部和第二凸部具有倾斜的侧面，第一凸部的位于+X侧的侧面与第二凸部的位于+X侧的侧面重叠，第一凸部的位于‑X侧的侧面与第二凸部的位于‑X侧的侧面重叠。
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公开(公告)号：CN107210724A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009495.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 宫崎史朗
Abstract: 本发明的石英振子(10)具备：石英片(11)，进行厚度切变振动；一对激励电极(12)，形成在所述石英片(11)的两面(11a、11b)；以及一对引出电极(13)，分别从所述激励电极(12)引出，所述石英片(11)具有具备被所述激励电极(12)被覆的多个丘陵部(15)的区域。通过丘陵部(15)，能够提高与激励电极(12)的密接性，能够提供一种可靠性高的石英振子(10)。
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公开(公告)号：CN109314501A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780033397.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 振动元件具有晶体片、一对激发电极和一对焊盘。晶体片具有一对主面、以及将一对主面的外缘彼此连结且至少一部分由晶面构成的侧面。再有，晶体片具有台面部、和在一对主面的俯视下包围台面部且一对主面间的厚度比台面部薄的外周部。一对激发电极在台面部分别位于一对主面。一对焊盘在外周部位于一对主面的一方，并与一对激发电极电连接。晶体片在一对主面之中的与晶面相接的缘部的至少一部分，具有以台面部距离外周部的高度以下的高度从外周部突出的至少一个凸部。
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公开(公告)号：CN104247045B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201380016985.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/048 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。
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公开(公告)号：CN104247045A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380016985.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/048 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。
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