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公开(公告)号：CN119586004A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380058332.2
申请日：2023-08-04
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本发明的振动装置具有第1基板、第2基板、中间层及激励电极。第1基板具有第1面。第2基板具有与第1面对置的第2面。中间层位于第1面与第2面之间。第1面具有第1凹部。中间层具有振动部及框部。振动部具有激励电极位于的激励部。激励部与第1凹部对置。框部在俯视下包围振动部，且接合于第1面及第2面。框部包含材料与振动部所包含的层相同的层。振动部的外缘遍及其整周地与框部分开。振动部接合于第1面中的第1凹部的外周区域。
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公开(公告)号：CN109314501A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780033397.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 振动元件具有晶体片、一对激发电极和一对焊盘。晶体片具有一对主面、以及将一对主面的外缘彼此连结且至少一部分由晶面构成的侧面。再有，晶体片具有台面部、和在一对主面的俯视下包围台面部且一对主面间的厚度比台面部薄的外周部。一对激发电极在台面部分别位于一对主面。一对焊盘在外周部位于一对主面的一方，并与一对激发电极电连接。晶体片在一对主面之中的与晶面相接的缘部的至少一部分，具有以台面部距离外周部的高度以下的高度从外周部突出的至少一个凸部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484176B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080040200.X
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38
Abstract: 本发明的一实施方式的发光元件具备：按顺序层叠有第一半导体层(2a)、发光层(2b)及第二半导体层(2c)的光半导体层(2)；与第一半导体层(2a)电连接的第一电极层(3)；与第二半导体层(2c)电连接的第二电极层(7)。另外，第二电极层(7)具有位于第二半导体层(2c)上的导电反射层(4)及位于导电反射层(4)上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔(6)的导电层(5)。本发明的发光元件的制造方法具有：准备光半导体层(2)和按顺序层叠有第一金属层(21)及熔点比第一金属层(21)的氧化物高的第二金属层(22)的层叠体(30)的工序；在第二金属层(22)上形成贯通厚度方向的多个贯通孔(6)的工序。而且，本发明的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层(21)的氧化物的熔点高且比第一金属层(21)的熔点及第二金属层(22)的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体(30)进行加热，将光半导体层(2)与第一金属层(21)的界面区域氧化的工序。
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公开(公告)号：CN101816077B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200880109928.6
申请日：2008-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种提高光取出效率且可抑制整个光取出面的发光强度分布不均匀的发光元件。发光元件具备：半导体层叠体，其具有n型半导体层和发光层及p型半导体层；电极焊盘，其与p型半导体层连接。半导体层叠体在其主面中的、在来自发光层的光被射出的主面具有多个突起。而且，半导体层叠体的所述主面具有位于电极焊盘附近的第一区域、和比第一区域更远离电极焊盘的第二区域，突起间隔在第二区域比在第一区域小。
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公开(公告)号：CN109314501B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780033397.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 振动元件具有晶体片、一对激发电极和一对焊盘。晶体片具有一对主面、以及将一对主面的外缘彼此连结且至少一部分由晶面构成的侧面。再有，晶体片具有台面部、和在一对主面的俯视下包围台面部且一对主面间的厚度比台面部薄的外周部。一对激发电极在台面部分别位于一对主面。一对焊盘在外周部位于一对主面的一方，并与一对激发电极电连接。晶体片在一对主面之中的与晶面相接的缘部的至少一部分，具有以台面部距离外周部的高度以下的高度从外周部突出的至少一个凸部。
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公开(公告)号：CN102484176A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080040200.X
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38
Abstract: 本发明的一实施方式的发光元件具备：按顺序层叠有第一半导体层(2a)、发光层(2b)及第二半导体层(2c)的光半导体层(2)；与第一半导体层(2a)电连接的第一电极层(3)；与第二半导体层(2c)电连接的第二电极层(7)。另外，第二电极层(7)具有位于第二半导体层(2c)上的导电反射层(4)及位于导电反射层(4)上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔(6)的导电层(5)。本发明的发光元件的制造方法具有：准备光半导体层(2)和按顺序层叠有第一金属层(21)及熔点比第一金属层(21)的氧化物高的第二金属层(22)的层叠体(30)的工序；在第二金属层(22)上形成贯通厚度方向的多个贯通孔(6)的工序。而且，本发明的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层(21)的氧化物的熔点高且比第一金属层(21)的熔点及第二金属层(22)的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体(30)进行加热，将光半导体层(2)与第一金属层(21)的界面区域氧化的工序。
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公开(公告)号：CN101816077A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880109928.6
申请日：2008-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种提高光取出效率且可抑制整个光取出面的发光强度分布不均匀的发光元件。发光元件具备：半导体层叠体，其具有n型半导体层和发光层及p型半导体层；电极焊盘，其与p型半导体层连接。半导体层叠体在其主面中的、在来自发光层的光被射出的主面具有多个突起。而且，半导体层叠体的所述主面具有位于电极焊盘附近的第一区域、和比第一区域更远离电极焊盘的第二区域，突起间隔在第二区域比在第一区域小。
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