一种带有短路金属线电极结构的调制器

    公开(公告)号:CN117908306A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410110993.1

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明提供了一种带有短路金属线电极结构的调制器,包括:衬底、绝缘介质层、共面波导行波电极、多个具有不同掺杂浓度的脊型光波导以及金属线组;所述绝缘介质层设置在衬底上,多个具有不同掺杂浓度的脊型光波导设置在绝缘介质层上;每个脊型光波导通过通孔与共面波导行波电极相连;所述共面波导行波电极中所有的地电极通过通孔与金属线组连接;所述金属线组包含通过周期性排布的金属线。本发明中的调制器通过短路金属线结构抑制了共面波导行波电极中寄生模式的产生,有效优化了微波信号的传输损耗频率响应曲线,有利于高速光通信中高质量眼图的产生。

    一种多通道光电收发集成系统

    公开(公告)号:CN117270123B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311568140.4

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种多通道光电收发集成系统,基于硅基设计的光电传输结构,本发明实现了在同一种结构下光电的相互作用,包括光电调制与光电解调。通过设计光电传输结构的物理尺寸与电磁传输特性,实现了其与不同类型的外部电放大芯片的尺寸匹配与电性能匹配,并构建了多通道的光电收发集成系统,可用于多通道高速光电信号的传输。本发明公开的一种多通道光电收发集成系统具有光电收发一体集成特点,集成程度高,采用同一种工艺即可实现光电的相互转化作用,避免了不同工艺带来的异质集成问题,有利于未来更大规模的光电集成与高速信号传输。

    端面耦合器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116413856B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202310689847.4

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本申请提供一种端面耦合器及其制备方法。该端面耦合器包括超透镜、微反射镜及端面耦合器波导,超透镜用于对从光纤中传输的入射光进行相位调控以将入射光汇聚到微反射镜的表面,微反射镜用于将汇聚到表面的光进行转向并反射至端面耦合器波导的入射端面以实现模斑转换。本申请能够解决光芯片中光纤和芯片波导的模场失配问题。

    模斑转换器的设计方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116643354B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202310931917.2

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请提供一种模斑转换器的设计方法。该设计方法包括:构建模斑转换器的轮廓函数;基于模斑转换器的轮廓函数来建立模斑转换器的模型;在模斑转换器的第一侧和第二侧分别连接输入波导和输出波导,其中,输入波导的宽度大于输出波导的宽度;在输入波导处设有模式光源,用于发出预定输入功率的光;在输出波导处设有功率监视器,用于监测输出波导的输出功率;以模斑转换器的传输效率为优化目标,通过仿真优化方法来对轮廓函数中的各项参数不断地进行迭代优化以最终得到各项参数的最优解,模斑转换器的传输效率等于输出功率与输入功率的比值;及将得到的各项参数的最优解代入到轮廓函数中以设计得到模斑转换器。因此可缩短模斑转换器的长度。

    芯片封装结构及封装方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117038599A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311285989.0

    申请日:2023-10-07

    Abstract: 本申请提供一种芯片封装结构及封装方法。其中,该芯片封装结构包括基板、第一重布线层、填充层、第二重布线层和金属凸点。基板包括相对的第一面和第二面,基板的第一面与外围芯片电连接。第一重布线层设置于基板的第二面上。填充层设置于第一重布线层远离基板的一侧,填充层内设有依次层叠的第一芯片和第二芯片以及至少部分包围第一芯片和第二芯片的填充体。第二重布线层设置于填充层远离基板的一侧。第一芯片通过第一重布线层、基板与外围芯片电连接。金属凸点设置于第二重布线层远离填充层的一侧,用于将电性引出。可实现适用于多功能或不同尺寸、且I/O数较多的芯片,因此可在减小封装尺寸、节约成本的基础上实现更多的端口互连和通信。

    光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法

    公开(公告)号:CN116859522A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202311107122.6

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请涉及一种光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法。其中,光栅耦合器包括:衬底与耦合波导。耦合波导位于衬底上。耦合波导包括光栅波导部与包覆部,光栅波导部位于包覆部内。光栅波导部包括光栅栅齿,光栅栅齿的开口方向背向衬底。衬底包括衬底部、导光部与隔离槽。在衬底所在的平面上,衬底部与隔离槽相邻,隔离槽与导光部相邻,隔离槽位于导光部与衬底部之间,且衬底部围绕隔离槽,隔离槽围绕导光部。导光部用于将入射至导光部的光以无发散的形式引导至光栅栅齿。根据本申请实施例,可以在具备制备工艺简单且制备成本低的优点,及避免对衬底强度造成较大影响的前提下,提升光栅耦合器的耦合效率。

    一种基于侧边耦合光子晶体的IQ调制器

    公开(公告)号:CN116626921A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310674920.0

    申请日:2023-06-08

    Abstract: 本发明提供了一种基于侧边耦合光子晶体的IQ调制器,包括:1×2多模干涉耦合器、2个侧边耦合光子晶体调相模块、2个热光移相器、2段纳米线波导、2×1多模干涉耦合器,所述纳米线波导穿过侧边耦合光子晶体调相模块和侧边耦合光子晶体调相模块,一端连接1×2多模干涉耦合器,另一端连接2×1多模干涉耦合器;所述侧边耦合光子晶体调相模块包括光子晶体微腔;所述光子晶体微腔的传输谱在特定工作波段处呈现一个低谷状态,形成调相所需的“0”状态,在其他大部分波段处呈现水平的通光状态,形成调相所需的“1”状态,大大提高了光子晶体通光效率。本发明提供的IQ调制器具有通光效率高、尺寸小、调制带宽高的特性,易于光电子器件高度集成。

    光栅耦合器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116859521B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311107119.4

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器及其制备方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的第一反射层、形成于第一反射层上的下埋层、形成于下埋层上的波导层、形成于波导层上的上包层、以及形成于上包层上的第二反射层,波导层包括多个二维光栅,多个二维光栅沿着光路传播路径方向设置。其中,沿着光路传播路径方向,从一个二维光栅进入的入射光中的部分光透过该二维光栅后会在第一反射层和第二反射层的反射作用下进入到下一个二维光栅。本申请能够同时兼顾对偏振的不敏感性以及高耦合效率。

    激光器与硅光芯片的耦合结构的仿真设计方法

    公开(公告)号:CN117031742A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311086035.7

    申请日:2023-08-25

    Abstract: 本申请涉及一种激光器与硅光芯片的耦合结构的仿真设计方法。包括:构建硅光芯片内的输入光波导的模型。确定透镜元件的各项参数的参数值范围,并确定需优化参数的顺序。针对每一需优化参数对应设计变化数列。构建包括激光器、透镜元件与硅光芯片的仿真测试模型。将同一变化数列内的各个参数值对应的透镜元件依次放入测试模型,并调整透镜元件的位置参数,使透镜元件的出射光束在聚焦平面的像差最小。将经过透镜元件整形后的激光器输出的光作为硅光芯片的输入光源,计算经过硅光芯片后的传输损耗,获得对应的传输损耗的数据集。选择传输损耗的数据集内的最小值对应的参数作为优化后的参数。重复前述步骤,确定透镜元件的各项优化后参数。

    偏振无关的模斑转换器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116931172A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311199267.3

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本申请涉及一种偏振无关的模斑转换器,该模斑转换器包括:上层波导和下层波导,上层波导设置于下层波导的上方,上层波导和下层波导之间设有绝缘层;在上层波导和下层波导上下重叠的部分处,上层波导设置至少两段波导;下层波导设置至少两段与上层波导对应的波导;其中,一段波导的参数基于第一模式光而设置,另一段波导的参数基于第二模式光而设置。采用上述结构的模斑转换器能够将不同模式的光分别耦合,使模斑转换器具备偏振无关特性,改善模场失配问题。

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